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BF245C	文件：120.95 Kbytes Page：2 Pages	JFETPROELECTRONSERIES	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
BF245C	文件：172.94 Kbytes Page：8 Pages	JFETVHF/UHFAmplifiersN-Channel-Depletion JFETVHF/UHFAmplifiersN–Channel—Depletion	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BF245C	文件：51.23 Kbytes Page：1 Pages	IM-ChannelJunctionField-EffectTransistors N-ChannelSiliconJunctionField-EffectTransistors BF245A,BandCareN-channeljunctionfield-effecttransistorsinplasticpackagesimilartoTO92(10A3DIN41868).Theyareparticularlysuitableforuseindc,AFandRFamplifiers.	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
BF245C	文件：307.61 Kbytes Page：13 Pages	N-channelsiliconfield-effecttransistors FEATURES Interchangeabilityofdrainandsourceconnections Frequenciesupto700MHz. APPLICATIONS LF,HFandDCamplifiers. DESCRIPTION GeneralpurposeN-channelsymmetricaljunction field-effecttransistorsinaplasticTO-92variantpackage.	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
BFQ245	文件：45.87 Kbytes Page：6 Pages	PNPvideotransistor DESCRIPTION PNPsilicontransistorencapsulatedina3-leadplasticSOT128Bpackage. APPLICATIONS •Primarilyintendedforcascodeoutputandbufferstagesinhighresolutioncolourmonitors.	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BLF245	文件：91.6 Kbytes Page：12 Pages	VHFpowerMOStransistor	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BLF245	文件：21.93 Kbytes Page：1 Pages	RFPOWERMOSFET DESCRIPTION: TheASIBLF245isaverticalD-MOStransistordesignedforlargesignalamplifierapplicationsintheVHFfrequencyrange. FEATURESINCLUDE: •PG=13dBTypicalat175MHz •30:1LoadVSWRCapability •Omnigold™metalizationsystem	ASI Advanced Semiconductor	ASI
BLF245	文件：9.37507 Mbytes Page：130 Pages	RFManual16thedition Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
BLF245B	文件：94.54 Kbytes Page：12 Pages	VHFpush-pullpowerMOStransistor DESCRIPTION Dualpush-pullsiliconN-channelenhancementmodeverticalD-MOStransistordesignedforlargesignalamplifierapplicationsintheVHFfrequencyrange. FEATURES •Highpowergain •Easypowercontrol •Goodthermalstability •Goldmetallizationensuresexcellentreliability.	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BLF245B	文件：9.37507 Mbytes Page：130 Pages	RFManual16thedition Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp

详细参数

型号：
BF245A_Q
功能描述：
JFET N-Channel Transistor
RoHS：
否
制造商：
ON Semiconductor
晶体管极性：
N-Channel 漏极电流（Vgs=0 时的
Idss）：
50 mA 漏源电压
VDS：
15 V
漏极连续电流：
50 mA
封装/箱体：
SC-59
封装：
Reel

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市威尔健半导体有限公司	BF245A+112	NXP/恩智浦	23+	TO-92	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
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更多BF245A_Q供应商更新时间2025-5-24 16:42:00

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