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BLF245	文件：21.93 Kbytes Page：1 Pages	RF POWER MOSFET DESCRIPTION: The ASI BLF245 is a vertical D-MOS transistor designed for large signal amplifier applications in the VHF frequency range. FEATURES INCLUDE: • PG = 13 dB Typical at 175 MHz • 30:1 Load VSWR Capability • Omnigold™ metalization system 文件：21.93 Kbytes 页数：1 Pages	ASI	ASI
BLF245	文件：9.37507 Mbytes Page：130 Pages	RF Manual 16th edition General description 10W plastic LDMOS power transistor for base station applications at frequencies from 700 MHz to 2700 MHz. Features and benefits ■ High efficiency ■ Excellent ruggedness ■ Designed for broadband operation ■ Excellent thermal stability ■ High power gain ■ Integrated ESD p 文件：9.37507 Mbytes 页数：130 Pages	恩XP	恩XP
BLF245	文件：91.6 Kbytes Page：12 Pages	VHF power MOS transistor 文件：91.6 Kbytes 页数：12 Pages	PHI PHI	PHI
BLF245	文件：300 bytes Page：1 Pages	RF POWER MOSFET DESCRIPTION:\nThe ASI BLF245 is a vertical D-MOS transistor designed for large signal amplifier applications in the VHF frequency range.FEATURES INCLUDE:\n• PG = 13 dB Typical at 175 MHz\n• 30:1 Load VSWR Capability\n• Omnigold™ metalization system	ASI Semiconductor	ASI Semiconductor
BLF245	文件：300 bytes Page：1 Pages	VHF power MOS transistor	恩XP	恩XP
BLF245	文件：300 bytes Page：1 Pages	RF MOSFET	NJS 新泽西半导体	NJS
BLF245B	文件：94.54 Kbytes Page：12 Pages	VHF push-pull power MOS transistor DESCRIPTION Dual push-pull silicon N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor designed for large signal amplifier applications in the VHF frequency range. FEATURES • High power gain • Easy power control • Good thermal stability • Gold metallization ensures excellent reliability. 文件：94.54 Kbytes 页数：12 Pages	PHI PHI	PHI
BLF245B	文件：9.37507 Mbytes Page：130 Pages	RF Manual 16th edition General description 10W plastic LDMOS power transistor for base station applications at frequencies from 700 MHz to 2700 MHz. Features and benefits ■ High efficiency ■ Excellent ruggedness ■ Designed for broadband operation ■ Excellent thermal stability ■ High power gain ■ Integrated ESD p 文件：9.37507 Mbytes 页数：130 Pages	恩XP	恩XP
BLF245C	文件：39.85 Kbytes Page：1 Pages	RF POWER MOSFET DESCRIPTION: The ASI BLF245C is a VDMOS transistor designed for large signal amplifier applications in the VHF frequency range. FEATURES INCLUDE: • PG = 16 dB Typical at 175 MHz • 30:1 Load VSWR Capability • Omnigold™ metalization system 文件：39.85 Kbytes 页数：1 Pages	ASI	ASI
BLF245_15	文件：79.92 Kbytes Page：12 Pages	VHF power MOS transistor 文件：79.92 Kbytes 页数：12 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC

技术参数

Number of Elements per Chip：
1
Maximum Gate Source Voltage：
±20V
Maximum Drain Source Voltage：
65V
Maximum Continuous Drain Current Range：
5 to 10A
Maximum Continuous Drain Current：
6A
Configuration：
Single Dual Source
Channel Type：
N
Channel Mode：
Enhancement

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
芯有半导体（深圳）有限公司	BLF245	恩XP	1045+	SOT-123	2100	NXP高频管原厂原包装绝对现货	询价
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更多BLF245供应商更新时间2026-4-17 16:28:00

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