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BF1101	文件：128.13 Kbytes Page：16 Pages	N-channel dual-gate MOS-FETs DESCRIPTION Enhancement type N-channel field-effect transistor with source and substrate interconnected. Integrated diodes between gates and source protect against excessive input voltage surges. The BF1101, BF1101R and BF1101WR are encapsulated in the SOT143B, SOT143R and SOT343R plastic package 文件：128.13 Kbytes 页数：16 Pages	PHI PHI	PHI
BF1101	文件：399.37 Kbytes Page：15 Pages	N-channel dual-gate MOS-FETs 文件：399.37 Kbytes 页数：15 Pages	恩XP	恩XP
BF1101	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-channel dual-gate MOS-FETs	恩XP	恩XP
BF1101R	文件：128.13 Kbytes Page：16 Pages	N-channel dual-gate MOS-FETs DESCRIPTION Enhancement type N-channel field-effect transistor with source and substrate interconnected. Integrated diodes between gates and source protect against excessive input voltage surges. The BF1101, BF1101R and BF1101WR are encapsulated in the SOT143B, SOT143R and SOT343R plastic package 文件：128.13 Kbytes 页数：16 Pages	PHI PHI	PHI
BF1101WR	文件：128.13 Kbytes Page：16 Pages	N-channel dual-gate MOS-FETs DESCRIPTION Enhancement type N-channel field-effect transistor with source and substrate interconnected. Integrated diodes between gates and source protect against excessive input voltage surges. The BF1101, BF1101R and BF1101WR are encapsulated in the SOT143B, SOT143R and SOT343R plastic package 文件：128.13 Kbytes 页数：16 Pages	PHI PHI	PHI
BF1101_15	文件：141.15 Kbytes Page：16 Pages	N-channel dual-gate MOS-FETs 文件：141.15 Kbytes 页数：16 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC
BF1101_2015	文件：141.15 Kbytes Page：16 Pages	N-channel dual-gate MOS-FETs 文件：141.15 Kbytes 页数：16 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC
BF1101R	文件：399.37 Kbytes Page：15 Pages	N-channel dual-gate MOS-FETs 文件：399.37 Kbytes 页数：15 Pages	恩XP	恩XP
BF1101R-215	文件：399.37 Kbytes Page：15 Pages	N-channel dual-gate MOS-FETs 文件：399.37 Kbytes 页数：15 Pages	恩XP	恩XP
BF1101WR	文件：399.37 Kbytes Page：15 Pages	N-channel dual-gate MOS-FETs 文件：399.37 Kbytes 页数：15 Pages	恩XP	恩XP

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