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BDX53B	文件：86.52 Kbytes Page：7 Pages	Complementary power Darlington transistors 文件：86.52 Kbytes 页数：7 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
BDX53BFP	文件：90.7 Kbytes Page：4 Pages	SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTOR DESCRIPTION The BDX53BFP is a silicon Epitaxial-Base NPN power transistor in monolithic Darlington configuration mounted in T0-220FP fully molded isolated package. It is intented for use in hammer drivers, audio amplifiers and other medium power linear and switching applications. APPLIC 文件：90.7 Kbytes 页数：4 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
BDX53B_06	文件：87.39 Kbytes Page：7 Pages	Plastic Medium-Power Complementary Silicon Transistors 文件：87.39 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BDX53B_07	文件：106.09 Kbytes Page：7 Pages	Plastic Medium-Power Complementary Silicon Transistors 文件：106.09 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BDX53B_07	文件：86.52 Kbytes Page：7 Pages	Complementary power Darlington transistors 文件：86.52 Kbytes 页数：7 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
BDX53B_14	文件：115.7 Kbytes Page：7 Pages	Plastic Medium-Power Complementary Silicon Transistors 文件：115.7 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BDX53BG	文件：87.39 Kbytes Page：7 Pages	Plastic Medium-Power Complementary Silicon Transistors 文件：87.39 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BDX53BG	文件：106.09 Kbytes Page：7 Pages	Plastic Medium-Power Complementary Silicon Transistors 文件：106.09 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BDX53BG	文件：115.7 Kbytes Page：7 Pages	Plastic Medium-Power Complementary Silicon Transistors 文件：115.7 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BDX53B	文件：300 bytes Page：1 Pages	互补功率达林顿晶体管 The devices are manufactured in planar base island technology with monolithic Darlington configuration. • Good hFE linearity \n• Monolithic Darlington configuration with integrated antiparallel collector-emitter diode \n• High fT frequency;	ST 意法半导体	ST

晶体管资料

型号：
BDX53B
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-N+Darl+Di
性质：
低频或音频放大（LF）_功率放大（L）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
80V
最大电流允许值：
8A
最大工作频率：
20MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BD267A,BD647,BD899,BDW73B,BDX33B,
最大耗散功率：
60W
放大倍数：
β>750
图片代号：
B-10
vtest：
80
htest：
20000000
atest：
8
wtest：
60

产品属性

产品编号：
BDX53B
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）
晶体管类型：
NPN - 达林顿
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
2V @ 12mA，3A
电流 - 集电极截止（最大值）：
500µA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
750 @ 3A，3V
工作温度：
-65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3
供应商器件封装：
TO-220
描述：
TRANS NPN DARL 80V 8A TO220

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