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BDX33C数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF

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厂商型号

BDX33C

参数属性

BDX33C 封装/外壳为TO-220-3;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN DARL 100V 10A TO220

功能描述

互补硅功率达林顿晶体管
TRANS NPN DARL 100V 10A TO220

封装外壳

TO-220-3

制造商

ST STMicroelectronics

中文名称

意法半导体 意法半导体集团

数据手册

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更新时间

2025-8-10 10:34:00

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BDX33C规格书详情

描述 Description

The BDX33B and BDX33C are silicon Epitaxial-Base NPN power transistors in monolithic Darlington configuration mounted in Jedec TO-220 plastic package. They are intented for use in power linear and switching applications.

The complementary PNP types are BDX34B and BDX34C respectively.

简介

BDX33C属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的BDX33C晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :BDX33C

  • 生产厂家

    :ST

  • Marketing Status

    :Active

  • Grade

    :Industrial

  • Transistor Polarity

    :NPN

  • Collector-Emitter Voltage_max(V)

    :100

  • Collector-Base Voltage_max(V)

    :100

  • Collector Current_abs_max(A)

    :10

  • Dc Current Gain_min

    :750

  • Test Condition for hFE (IC)

    :3

  • Test Condition for hFE (VCE)_spec(V)

    :3

  • VCE(sat)_max(V)

    :2.5

  • Test Condition for VCE(sat) - IC

    :3

  • Test Condition for VCE(sat) - IB_spec(mA)

    :6

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