BDX33C中文资料互补硅功率达林顿晶体管数据手册ST规格书

厂商型号 |
BDX33C |
参数属性 | BDX33C 封装/外壳为TO-220-3;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN DARL 100V 10A TO220 |
功能描述 | 互补硅功率达林顿晶体管 |
封装外壳 | TO-220-3 |
制造商 | ST STMicroelectronics |
中文名称 | 意法半导体 意法半导体集团 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-9-29 12:35:00 |
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BDX33C规格书详情
描述 Description
The BDX33B and BDX33C are silicon Epitaxial-Base NPN power transistors in monolithic Darlington configuration mounted in Jedec TO-220 plastic package. They are intented for use in power linear and switching applications.
The complementary PNP types are BDX34B and BDX34C respectively.
简介
BDX33C属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的BDX33C晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 制造商编号
:BDX33C
- 生产厂家
:ST
- Marketing Status
:Active
- Grade
:Industrial
- Transistor Polarity
:NPN
- Collector-Emitter Voltage_max(V)
:100
- Collector-Base Voltage_max(V)
:100
- Collector Current_abs_max(A)
:10
- Dc Current Gain_min
:750
- Test Condition for hFE (IC)
:3
- Test Condition for hFE (VCE)_spec(V)
:3
- VCE(sat)_max(V)
:2.5
- Test Condition for VCE(sat) - IC
:3
- Test Condition for VCE(sat) - IB_spec(mA)
:6
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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