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BDW42G

Darlington Complementary Silicon Power Transistors

This series of plastic, medium−power silicon NPN and PNP Darlington transistors are designed for general purpose and low speed switching applications. Features • High DC Current Gain − hFE = 2500 (typ) @ IC = 5.0 Adc. • Collector Emitter Sustaining Voltage @ 30 mAdc: VCEO(sus) = 80 Vdc (

文件:89.17 Kbytes 页数:7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

BDW42G

Darlington Complementary Silicon Power Transistors

文件:95.17 Kbytes 页数:7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

BDW42G

Package:TO-220-3;包装:卷带(TR) 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS NPN DARL 100V 15A TO220

ONSEMI

安森美半导体

BDW93CTU

TO-220

ON

BDX33C其他被动元件

TO-220

ST/意法

产品属性

  • 产品编号:

    BDW42G

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 晶体管类型:

    NPN - 达林顿

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    3V @ 50mA,10A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    2mA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    1000 @ 5A,4V

  • 频率 - 跃迁:

    4MHz

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3

  • 供应商器件封装:

    TO-220

  • 描述:

    TRANS NPN DARL 100V 15A TO220

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多BDW42G供应商 更新时间2025-12-24 9:38:00