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BDT30C	文件：116.2 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon PNP Power Transistors 文件：116.2 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
BDT30C	文件：132.72 Kbytes Page：2 Pages	Silicon PNP Power Transistors 文件：132.72 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
BDT30CF	文件：135.62 Kbytes Page：2 Pages	Silicon PNP Power Transistors 文件：135.62 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
BDT30CF	文件：114.25 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon PNP Power Transistors 文件：114.25 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
BDT30C	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trans GP BJT PNP 100V 1A	NJS	NJS

技术参数

Configuration：
Single
Material：
Si
Maximum Collector Base Voltage：
140V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage：
0.7@0.125A@1AV
Maximum Collector Emitter Voltage：
100V
Maximum DC Collector Current：
1A
Maximum Emitter Base Voltage：
5V
Maximum Operating Temperature：
150ﾡC
Maximum Power Dissipation：
30000mW
Maximum Transition Frequency：
3(Min)MHz
Type：
PNP

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多BDT30C供应商更新时间2025-10-11 16:01:00

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