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BDT30C数据手册NJS中文资料规格书

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厂商型号

BDT30C

功能描述

Trans GP BJT PNP 100V 1A

制造商

NJS New Jersey Semiconductor

数据手册

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更新时间

2025-8-11 17:59:00

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技术参数

  • 制造商编号

    :BDT30C

  • 生产厂家

    :NJS

  • Configuration

    :Single

  • Material

    :Si

  • Maximum Collector Base Voltage

    :140V

  • Maximum Collector Emitter Saturation Voltage

    :0.7@0.125A@1AV

  • Maximum Collector Emitter Voltage

    :100V

  • Maximum DC Collector Current

    :1A

  • Maximum Emitter Base Voltage

    :5V

  • Maximum Operating Temperature

    :150ᄀC

  • Maximum Power Dissipation

    :30000mW

  • Maximum Transition Frequency

    :3(Min)MHz

  • Type

    :PNP

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