| 零件编号 | 下载 订购 | 功能描述/丝印 | 制造商 上传企业 | LOGO |
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Marking：BDP；Surface Mount Transient Voltage Suppressor Power 1500W FEATURES •1500Wpeakpulsepowercapabilityat10/1000μswaveform,repetitionrate(dutycycles):0.01 •Excellentclampingcapability •Lowincrementalsurgeresistance •TypicalIRlessthan1μAwhenVBRmin>12V •Forsurfacemountedapplicationstooptimizeboardspace •Lowproflepackag | JUXINGGuangdong Juxing Electronics Technology Co., Ltd. 广东钜兴电子广东钜兴电子科技有限公司 | JUXING | ||
Marking：BDP；Package：DO-214AB；5.0 To 440V 1500W Surface Mount Transient Voltage Suppressors (TVS) Features Forsurfacemountedapplicationsinordertooptimizeboardspace Lowleakage UniandBidirectionalunit Glasspassivatedjunction Lowinductance Excellentclampingcapability TypicalIRlessthan1μAabove11V 1500WPeakpowercapabilityat10×1000μswaveformRepetition rate( | UNSEMIUN Semiconducctor INC 优恩半导体深圳市优恩半导体有限公司 | UNSEMI | ||
Marking：BDP；SURFACE MOUNT TRANSIENT VOLTAGE SUPPESSOR DIODE | SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司 | SUNMATE | ||
Marking：BDP；Package：DO-214AB；SMCJ Transient Voltage Suppressor Diode Series | YINTShanghai Yint Electronic Co., Ltd 音特电子上海音特电子有限公司 | YINT | ||
Marking：BDP；Package：SMC；Rating to 200C VBR | SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 时科广东时科微实业有限公司 | SKTECHNOLGY | ||
Marking：BDP；Package：DO-214AB；TRANSIENT VTAGE SUPPRESSOR | CHENDAMicrodiode Electronics (Jiangsu) Co.,Ltd. 辰达半导体深圳辰达半导体有限公司 | CHENDA | ||
Marking：BDP；Package：SMC；Surface Mount Transient Voltage Suppressors | ANOVAAnova Technologies CO., LTD. 林朋科技林朋科技股份有限公司 | ANOVA | ||
Marking：BDP；Package：SMCJ；1500W Transient Voltage Suppression Diodes | FUTUREWAFER FutureWafer Tech Co.,Ltd | FUTUREWAFER | ||
Marking：BDP；Package：DO-214AB；Surface Mount Transient Voltage Suppressors (TVS) | SOCAYSocay Electornics Co., Ltd. 硕凯电子硕凯电子股份有限公司 | SOCAY | ||
Marking：BDPT；Package：DO-214AB；1500W Surface Mount Transient Voltage Suppressors Features Glasspassivatedorplanarjunction Excellentclampingcapability Repetitionrate(dutycycle):0.01 Lowprofilepackageandlowinductance 1500WPeakPulsepowercapabilityat10×1000μswaveform Fastresponsetime:typicallylessthan1.0psfrom0VtoVBRmin Hightemperaturesold | UNSEMIUN Semiconducctor INC 优恩半导体深圳市优恩半导体有限公司 | UNSEMI |
晶体管资料
- 型号：
- 别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
- 生产厂家：
- 制作材料：
Si-NPN
- 性质：
- 封装形式：
直插封装
- 极限工作电压：
60V
- 最大电流允许值：
3A
- 最大工作频率：
30MHZ
- 引脚数：
3
- 可代换的型号：
3DA4B,
- 最大耗散功率：
18.5W
- 放大倍数：
- 图片代号：
E-53
- vtest：
60
- htest：
30000000
- atest：
3
- wtest：
18.5
详细参数
- 型号：
BDP
- 功能描述：
两极晶体管 - BJT Silicn NPN TRANSISTR
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
- VCBO：
集电极—发射极最大电压
- VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
- VEBO：
- 6 V
- 增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
- Min：
100 A
- 安装风格：
SMD/SMT
- 封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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INFINEON/英飞凌 |
2023+ |
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INFINEON |
23+ |
SOT223 |
8000 |
专注配单,只做原装进口现货 |
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INFINEON |
23+ |
SOT223 |
7000 |
询价 | |||
INFINEON/英飞凌 |
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