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BDP949	文件：528.94 Kbytes Page：8 Pages	丝印：BDP949；Package：SOT223；Silicon NPN Transistors • For AF driver and output stages • High collector current • High current gain • Low collector-emitter saturation voltage • Complementary types: BDP948, BDP950, BDP954 (PNP) • Pb-free (RoHS compliant) package • Qualified according AEC Q101 文件：528.94 Kbytes 页数：8 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
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BDP949	文件：384.74 Kbytes Page：3 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage -V(BR)CEO= 45V(Min) ·For AF driver and output stages ·High collector current APPLICATIONS ·Designed for power amplifier ·high speed switching and regulated power supply applications. 文件：384.74 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
BDP949	文件：40.25 Kbytes Page：4 Pages	NPN Silicon AF Power Transistors (For AF drivers and output stages High collector current High current gain) NPN Silicon AF Power Transistors • For AF drivers and output stages • High collector current • High current gain • Low collector-emitter saturation voltage • Complementary type: BDP948, BDP950 (PNP) 文件：40.25 Kbytes 页数：4 Pages	SIEMENS 西门子	SIEMENS
BDP949	文件：44.75 Kbytes Page：4 Pages	Silicon NPN Transistor Silicon NPN Transistors • For AF driver and output stages • High collector current • High current gain • Low collector-emitter saturation voltage • Complementary types: BDP948, BDP950, BDP954 (PNP) • Pb-free (RoHS compliant) package1) • Qualified according AEC Q101 文件：44.75 Kbytes 页数：4 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
BDP949	文件：524.11 Kbytes Page：8 Pages	Silicon NPN Transistors 文件：524.11 Kbytes 页数：8 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON

晶体管资料

型号：
BDP949
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
表面帖装型（SMD）_低频或音频放大（LF）_TR
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
60V
最大电流允许值：
3A
最大工作频率：
100MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BDP951,BDP953,BDP955,
最大耗散功率：
放大倍数：
图片代号：
H-99
vtest：
60
htest：
100000000
atest：
3
wtest：
0

详细参数

型号：
BDP949
制造商：
Infineon Technologies AG
功能描述：
TRANSISTOR NPN SOT-223
功能描述：
TRANSISTOR, NPN, SOT-223
功能描述：
TRANSISTOR, NPN, SOT-223; Transistor Polarity
功能描述：
SMT NPN transistor,BDP949 3A Ic 1Vce

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