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深圳市星源辉科技有限公司

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BDP954

BDP954

Infineon/英飞凌SOT223

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原装正品,可配单,支持实单

柒号芯城电子商务(深圳)有限公司

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BDP950H6327XTSA1

INFINEONN/A

70000

2025+

柒号只做原装 现货价秒杀全网

深圳市粤骏腾电子科技有限公司

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BDP949H6327XTSA1

InfineonSOT223-4

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26+

十年沉淀唯有原装

深圳飞弛宏科技有限公司

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BDP954H6327

INFINEON/英飞凌SOT223

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专业供应MOS/LDO/晶体管/有大量价格低

贸泽芯城(深圳)电子科技有限公司

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BDP949H6327XTSA1

InfineonSOT223-4

47000

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一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力

深圳市诚利顺电子科技有限公司

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BDP949

BDP949

INFINEONSOT223

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十七年专营原装现货一手货源,样品免费送

深圳市高捷芯城科技有限公司

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Infineon(英飞凌)SOT-223

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深圳市得捷芯城科技有限公司

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Infineon(英飞凌)N/A

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原装正品现货,原厂订货,可支持含税原型号开票。

深圳市芯皇电子有限公司

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INFINEON/英飞凌23+

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SOT-223

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深圳市金华微盛电子有限公司

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INFINEON/英飞凌SOT223

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深圳市拓亿芯电子有限公司

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INFINEON/英飞凌SOT-223

25000

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全新原装现货,假一赔十

深圳市天芯威科技有限公司

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Infineon(英飞凌)

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新到现货,只做原装进口

深圳市坤融电子科技有限公司

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BDP956

INFINEON/英飞凌SOT223

5000

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原装进口价格优 请找坤融电子!

深圳市高捷芯城科技有限公司

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Infineon(英飞凌)N/A

21000

25+

原装正品现货,原厂订货,可支持含税原型号开票。

深圳市科恒伟业电子有限公司

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BDP950

INFINEONSOT-223

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只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!!

深圳市河锋鑫科技有限公司

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INFINEON/英飞凌SOT-223

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深圳市欧立现代科技有限公司

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BDP949

INFINEONSOT-223

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绝对原装现货,价格低,欢迎询购!

深圳市河锋鑫科技有限公司

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BDP956

INFINEON/英飞凌SOT-223

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原装正品 可含税交易

深圳市高捷芯城科技有限公司

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Infineon(英飞凌)N/A

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原装正品现货,原厂订货,可支持含税原型号开票。

深圳市高捷芯城科技有限公司

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Infineon(英飞凌)

10548

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BDP948E6433价格

BDP948E6433价格:¥1.6227品牌:Infineon

生产厂家品牌为Infineon的BDP948E6433多少钱,想知道BDP948E6433价格是多少?参考价:¥1.6227。这里提供2026年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,BDP948E6433批发价格及采购报价,BDP948E6433销售排行榜及行情走势,BDP948E6433报价。

BDP947H6327资讯

BDP948 原装正品

型号 BDP948 材料 硅(Si) 封装形式 SOT223

BDP947H6327中文资料Alldatasheet PDF

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BDP 947 E6327功能描述:两极晶体管 - BJT Silicn NPN TRANSISTR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

BDP 947 E6327XT制造商:Infineon Technologies 功能描述:Trans GP BJT NPN 45V 3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

BDP 947 H6327功能描述:两极晶体管 - BJT AF TRANSISTOR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

BDP 948 E6327功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Silicon AF Power TRANSISTOR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

BDP 948 E6433功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Silicon AF Power TRANSISTOR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

BDP 948 H6327功能描述:两极晶体管 - BJT AF TRANSISTOR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

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BDP 949 E6327功能描述:两极晶体管 - BJT Silicn NPN Transistr RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

BDP 949 H6327功能描述:两极晶体管 - BJT AF TRANSISTOR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

BDP 950 E6327功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Silicon AF Power TRANSISTOR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2