| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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InfineonSOT223-4 |
47000 |
23+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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9年
留言
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INFINEON/英飞凌SOT223 |
1000 |
23+ |
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专业供应MOS/LDO/晶体管/有大量价格低 |
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17年
留言
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INFINEONSOT223 |
6500 |
25+ |
十七年专营原装现货一手货源,样品免费送 |
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INFINEONN/A |
70000 |
2025+ |
柒号只做原装 现货价秒杀全网 |
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14年
留言
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InfineonSOT223-4 |
20000 |
26+ |
十年沉淀唯有原装 |
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2年
留言
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Infineon/英飞凌SOT223 |
18000 |
26+ |
原装正品,可配单,支持实单 |
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13年
留言
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INFINEONSOT-223 |
15800 |
26+ |
绝对原装现货,价格低,欢迎询购! |
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7年
留言
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INFINEON/英飞凌SOT223 |
5000 |
2025+ |
原装进口价格优 请找坤融电子! |
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12年
留言
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INFINEON/英飞凌SOT-223 |
25000 |
25+ |
全新原装现货,假一赔十 |
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4年
留言
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INFINEONSOT-223 |
8540 |
2430+ |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
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7年
留言
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Infineon(英飞凌)N/A |
21000 |
25+ |
原装正品现货,原厂订货,可支持含税原型号开票。 |
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4年
留言
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Infineon(英飞凌) |
25650 |
23+ |
新到现货,只做原装进口 |
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7年
留言
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Infineon(英飞凌)SOT-223 |
21316 |
24+ |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
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7年
留言
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Infineon(英飞凌)N/A |
21000 |
25+ |
原装正品现货,原厂订货,可支持含税原型号开票。 |
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7年
留言
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INFINEON/英飞凌SOT223 |
78550 |
2019+ |
原厂渠道 可含税出货 |
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10年
留言
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INFINEON/英飞凌SOT223 |
23600 |
26+ |
十年以上分销商原装进口件服务型企业0755-83790645 |
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5年
留言
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INFINEON/英飞凌SOT-223 |
2498 |
18+ |
原装正品 可含税交易 |
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5年
留言
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INFINEON/英飞凌SOT-223 |
120000 |
20+ |
原装正品 可含税交易 |
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7年
留言
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Infineon(英飞凌) |
10548 |
26+ |
原厂订货渠道,支持账期,一站式服务! |
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6年
留言
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INFINEON/英飞凌23+ |
6000 |
SOT-223 |
专业配单原装正品假一罚十 |
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BDP图片
BDP948E6433价格
BDP948E6433价格:¥1.6227品牌:Infineon
生产厂家品牌为Infineon的BDP948E6433多少钱,想知道BDP948E6433价格是多少?参考价:¥1.6227。这里提供2026年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,BDP948E6433批发价格及采购报价,BDP948E6433销售排行榜及行情走势,BDP948E6433报价。
BDP949H6327资讯
BDP948 原装正品
型号 BDP948 材料 硅(Si) 封装形式 SOT223
BDP949H6327中文资料Alldatasheet PDF
更多BDP 947 E6327功能描述:两极晶体管 - BJT Silicn NPN TRANSISTR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BDP 947 E6327XT制造商:Infineon Technologies 功能描述:Trans GP BJT NPN 45V 3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
BDP 947 H6327功能描述:两极晶体管 - BJT AF TRANSISTOR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BDP 948 E6327功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Silicon AF Power TRANSISTOR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BDP 948 E6433功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Silicon AF Power TRANSISTOR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BDP 948 H6327功能描述:两极晶体管 - BJT AF TRANSISTOR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
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BDP 949 E6327功能描述:两极晶体管 - BJT Silicn NPN Transistr RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BDP 949 H6327功能描述:两极晶体管 - BJT AF TRANSISTOR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BDP 950 E6327功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Silicon AF Power TRANSISTOR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
































