BDP954分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF中文资料

厂商型号	BDP954
参数属性	BDP954 封装/外壳为TO-261-4，TO-261AA；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS PNP 100V 3A SOT223-4
功能描述	PNP Silicon AF Power Transistors TRANS PNP 100V 3A SOT223-4
封装外壳	TO-261-4，TO-261AA
文件大小	44.65 Kbytes
页面数量	4 页
生产厂商	INFINEON
中文名称	英飞凌
网址	网址
数据手册	原厂下载下载地址一下载地址二到原厂下载
更新时间	2026-2-4 22:59:00
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BDP954规格书详情

BDP954属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由英飞凌科技股份公司制造生产的BDP954晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。

PNP Silicon AF Power Transistors

For AF driver and output stages

High current gain

Low collector-emitter saturation voltage

Complementary types: BDP951...BDP955 (NPN)

产品属性

产品编号：
BDP954H6327XTSA1
制造商：
Infineon Technologies
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
500mV @ 200mA，2A
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
85 @ 500mA，1V
频率 - 跃迁：
100MHz
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-261-4，TO-261AA
供应商器件封装：
PG-SOT223-4-10
描述：
TRANS PNP 100V 3A SOT223-4

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