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BDP950分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

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厂商型号

BDP950

参数属性

BDP950 封装/外壳为TO-261-4,TO-261AA;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 60V 3A SOT223-4

功能描述

PNP Silicon AF Power Transistors
TRANS PNP 60V 3A SOT223-4

封装外壳

TO-261-4,TO-261AA

文件大小

537.82 Kbytes

页面数量

8

生产厂商

INFINEON

中文名称

英飞凌

网址

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更新时间

2026-2-1 22:59:00

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晶体管资料

  • 型号:

    BDP950

  • 别名:

    BDP950三极管、BDP950晶体管、BDP950晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-PNP

  • 性质:

    表面帖装型 (SMD)_低频或音频放大 (LF)_TR

  • 封装形式:

    贴片封装

  • 极限工作电压:

    60V

  • 最大电流允许值:

    3A

  • 最大工作频率:

    100MHZ

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

    BDP952,BDP954,BDP956,

  • 最大耗散功率:

  • 放大倍数:

  • 图片代号:

    H-99

  • vtest:

    60

  • htest:

    100000000

  • atest:

    3

  • wtest:

    0

BDP950规格书详情

BDP950属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由英飞凌科技股份公司制造生产的BDP950晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

PNP Silicon AF Power Transistors

• For AF driver and output stages

• High collector current

• High current gain

• Low collector-emitter saturation voltage

• Complementary types: BDP947, BDP949 BDP953 (NPN)

• Pb-free (RoHS compliant) package

• Qualified according AEC Q101

产品属性

更多
  • 产品编号:

    BDP950H6327XTSA1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    PNP

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    500mV @ 200mA,2A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    85 @ 500mA,1V

  • 频率 - 跃迁:

    100MHz

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-261-4,TO-261AA

  • 供应商器件封装:

    PG-SOT223-4-10

  • 描述:

    TRANS PNP 60V 3A SOT223-4

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Infineon(英飞凌)
24+
标准封装
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INFINEON
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SOT-223
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