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BDP950	文件：44.46 Kbytes Page：4 Pages	PNP Silicon AF Power Transistors PNP Silicon AF Power Transistors • For AF driver and output stages • High collector current • High current gain • Low collector-emitter saturation voltage • Complementary types: BDP947, BDP949 BDP953 (NPN) • Pb-free (RoHS compliant) package • Qualified according AEC Q101 文件：44.46 Kbytes 页数：4 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
BDP950	文件：537.82 Kbytes Page：8 Pages	PNP Silicon AF Power Transistors PNP Silicon AF Power Transistors • For AF driver and output stages • High collector current • High current gain • Low collector-emitter saturation voltage • Complementary types: BDP947, BDP949 BDP953 (NPN) • Pb-free (RoHS compliant) package • Qualified according AEC Q101 文件：537.82 Kbytes 页数：8 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
BDP950	文件：39.93 Kbytes Page：4 Pages	PNP Silicon AF Power Transistor (For AF drivers and output stages High collector current High current gain) PNP Silicon AF Power Transistor • For AF drivers and output stages • High collector current • High current gain • Low collector-emitter saturation voltage • Complementary type: BDP947, BDP949 (NPN) 文件：39.93 Kbytes 页数：4 Pages	SIEMENS 西门子	SIEMENS
BDP950	文件：537.82 Kbytes Page：8 Pages	PNP Silicon AF Power Transistors 文件：537.82 Kbytes 页数：8 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
BDP950	文件：533.27 Kbytes Page：8 Pages	PNP Silicon AF Power Transistors 文件：533.27 Kbytes 页数：8 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
BDP950	文件：300 bytes Page：1 Pages	General Purpose Transistor	Infineon 英飞凌	Infineon
BDP950-E6327	文件：537.82 Kbytes Page：8 Pages	PNP Silicon AF Power Transistors PNP Silicon AF Power Transistors • For AF driver and output stages • High collector current • High current gain • Low collector-emitter saturation voltage • Complementary types: BDP947, BDP949 BDP953 (NPN) • Pb-free (RoHS compliant) package • Qualified according AEC Q101 文件：537.82 Kbytes 页数：8 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
BDP950E6327HTSA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-261-4，TO-261AA；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 60V 3A SOT223-4	Infineon 英飞凌	Infineon
BDP950H6327XTSA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-261-4，TO-261AA；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 60V 3A SOT223-4	Infineon 英飞凌	Infineon

晶体管资料

型号：
BDP950
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
表面帖装型（SMD）_低频或音频放大（LF）_TR
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
60V
最大电流允许值：
3A
最大工作频率：
100MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BDP952,BDP954,BDP956,
最大耗散功率：
放大倍数：
图片代号：
H-99
vtest：
60
htest：
100000000
atest：
3
wtest：
0

技术参数

Polarity ：
PNP (Single)
VCEO max：
60.0V
Ptot max：
5000.0mW
hFE min max：
85.0 475.0
IC max：
3000.0mA
IC ：
3000.0mA
VCE ：
1.0V
VCBO max：
60.0V
VEBO max：
5.0V
ICM max：
5000.0mA
ICBO max：
100.0nA
fT ：
100.0MHz
VCE(sat) max：
0.5V
Mounting ：
SMT
IBM max：
500.0mA
Package ：
P-SOT223-4-10

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