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BD810G

Plastic High Power Silicon Transistor

文件:86.03 Kbytes 页数:5 Pages

ONSEMI

安森美半导体

BD810G

Plastic High Power Silicon Transistors

文件:95 Kbytes 页数:4 Pages

ONSEMI

安森美半导体

BD8100CT

Power Schottky

Panjit

強茂

BD8100YS

Power Schottky

Panjit

強茂

BD8100CS_S2_00001

Package:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 阵列 描述:SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER R

Panjit International Inc.

Panjit International Inc.

BD8100S_S2_00001

Package:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 描述:SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER R

Panjit International Inc.

Panjit International Inc.

晶体管资料

  • 型号:

    BD810

  • 别名:

    三极管、晶体管、晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-PNP

  • 性质:

    低频或音频放大 (LF)_功率放大 (L)

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

    80V

  • 最大电流允许值:

    10A

  • 最大工作频率:

    <1MHZ或未知

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

    BD546C,BD710,3CK100D,

  • 最大耗散功率:

    90W

  • 放大倍数:

  • 图片代号:

    B-10

  • vtest:

    80

  • htest:

    999900

  • atest:

    10

  • wtest:

    90

产品属性

  • 产品编号:

    BD810

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 晶体管类型:

    PNP

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    1.1V @ 300mA,3A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    1mA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    15 @ 4A,2V

  • 频率 - 跃迁:

    1.5MHz

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3

  • 供应商器件封装:

    TO-220

  • 描述:

    TRANS PNP 80V 10A TO220

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更多BD810供应商 更新时间2026-1-20 23:00:00