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BD681	文件：86.55 Kbytes Page：4 Pages	SILICONDARLINGTONPOWERTRANSISTORS SILICONDARLINGTONPOWERTRANSISTORS TheBD675/A-BD677/A-BD679/A-BD681/AareNPNtransistorsmountedinJedecTO-126plasticpackage. Theyareeptaxial-basetransistorsinmonolithicDarlingtoncircuitforaudioandvideoapplications. PNPcomplementsareBD676/A-BD678/A-BD680/A-BD682	COMSET Comset Semiconductor	COMSET
BD681	文件：94.8 Kbytes Page：1 Pages	COMPLEMENTARYSILICONPOWERDARLINGTONTRANSISTORS DESCRIPTION TheBD681,aresiliconepitaxial-baseNPNpowertransistorsinmonolithicDarlingtonconfigurationmountedinJedecTO-126plasticpackage. TheyareintendedforuseinmediumpowerlinarandswitchingapplicationsThecomplementaryPNPtypesareBD682,respectively.	TGS Tiger Electronic Co.,Ltd	TGS
BD681	文件：337.79 Kbytes Page：2 Pages	NPNSILICONPOWERDARLINGTONTRANSISTOR DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTORBD675SeriestypesareNPNSiliconDarlingtonPowerTransistors,availableintheplasticTO-126package,andaredesignedforaudioandvideooutputapplications. MARKING:FULLPARTNUMBER	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
BD681	文件：130.8 Kbytes Page：3 Pages	SiliconNPNPowerTransistors DESCRIPTION •WithTO-126package •ComplementtotypeBD676A/678A/680A/682 •DARLINGTON APPLICATIONS •Formediumpowerlinearandswitchingapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
BD681	文件：109.23 Kbytes Page：4 Pages	PlasticMedium?좵owerSiliconNPNDarlingtons	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BD681	文件：332.11 Kbytes Page：2 Pages	NPNSILICONPOWERDARLINGTONTRANSISTOR	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
BD681	文件：99.98 Kbytes Page：2 Pages	PlasticMedium-PowerSiliconNPNDarlingtons Thisseriesofplastic,medium-powersiliconNPNDarlingtontransistorscanbeusedasoutputdevicesincomplementarygeneral-purposeamplifierapplications. Features •HighDCCurrentGain:hFE=750(Min)@Ic=1.5and2.0Adc •MonolithicConstruction •BD675.675A,677,677A.679,679A,68	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
BD681	文件：44.93 Kbytes Page：4 Pages	MediumPowerLinearandSwitchingApplications	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
BD681	文件：182.31 Kbytes Page：4 Pages	NPNPLASTICPOWERDARLINGTONTRANSISTORS NPNPLASTICPOWERDARLINGTONTRANSISTORS ComplementaryBD676,676A,678,678A,680,680A,682&684	CDIL CDIL	CDIL
BD681	文件：230.99 Kbytes Page：3 Pages	SiliconNPNPowerTransistors	FS First Silicon Co., Ltd	FS
BD681	文件：382.93 Kbytes Page：12 Pages	ComplementarypowerDarlingtontransistors Description ThedevicesaremanufacturedinplanarbaseislandtechnologywithmonolithicDarlingtonconfiguration. Features ■GoodhFElinearity ■HighfTfrequency ■MonolithicDarlingtonconfigurationwith integratedantiparallelcollector-emitterdiode Applications ■Line	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
BD681	文件：230.32 Kbytes Page：4 Pages	NPNEpitaxialSiliconTransistor	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
BD681	文件：114.05 Kbytes Page：3 Pages	SILICONDARLINGTONPOWERTRANSISTORS SILICONDARLINGTONPOWERTRANSISTORS TheBD675/A-BD677/A-BD679/A-BD681/AareNPNtransistorsmountedinJedecTO-126plasticpackage. Theyareeptaxial-basetransistorsinmonolithicDarlingtoncircuitforaudioandvideoapplications. PNPcomplementsareBD676/A-BD678/A-BD680/A-BD682	COMSET Comset Semiconductor	COMSET
BD681	文件：230.32 Kbytes Page：4 Pages	MediumPowerLinearandSwitchingApplications	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
BD681A	文件：114.05 Kbytes Page：3 Pages	SILICONDARLINGTONPOWERTRANSISTORS SILICONDARLINGTONPOWERTRANSISTORS TheBD675/A-BD677/A-BD679/A-BD681/AareNPNtransistorsmountedinJedecTO-126plasticpackage. Theyareeptaxial-basetransistorsinmonolithicDarlingtoncircuitforaudioandvideoapplications. PNPcomplementsareBD676/A-BD678/A-BD680/A-BD682	COMSET Comset Semiconductor	COMSET
BD681STU	文件：44.93 Kbytes Page：4 Pages	MediumPowerLinearandSwitchingApplications	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
BGY681	文件：19.91 Kbytes Page：5 Pages	CATVamplifiermodule DESCRIPTION HybridhighdynamicrangeamplifiermoduledesignedforCATVsystemsoperatingoverafrequencyrangeof40to600MHzoperatingwithavoltagesupplyof24V(DC). FEATURES •Excellentlinearity •Extremelylownoise •Siliconnitridepassivation •Ruggedconstruction •Goldme	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
C681	文件：501.68 Kbytes Page：1 Pages	500WATTS(AC)DC/DCSINGLEOUTPUT Features •SingleOutput •3Ux42TEx166.5mm •Weight:3.5kg	POWERBOX Powerbox manufactures	POWERBOX
C-681-K	文件：192.91 Kbytes Page：1 Pages	CoilsandChokesforgeneraluse	PREMOPREMO CORPORATION S.L 普莱默普莱默电子（芜湖）有限公司	PREMO
COP681C	文件：400 Kbytes Page：30 Pages	Microcontrollers	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC

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产品属性

产品编号：
BD681G
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
NPN - 达林顿
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
2.5V @ 30mA，1.5A
电流 - 集电极截止（最大值）：
500µA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
750 @ 1.5A，3V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-225AA，TO-126-3
供应商器件封装：
TO-126
描述：
TRANS NPN DARL 100V 4A TO126

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市凯昱电子有限公司	BD681G	ON	21+	TO-225	6880	只做原装,支持实单	询价
中天科工半导体（深圳）有限公司	BD681G	onsemi	23+	TO-225AA,TO-126-3	30000	晶体管-分立半导体产品-原装正品	询价
深圳市龙瀚电子有限公司	BD681G	ON	16+/17+	TO-225	78000	渠道现货库存-原装正品	询价
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深圳市珩瑞科技有限公司	BD681G	ON/安森美	21+	TO-225	6000	原装正品	询价
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更多BD681G供应商更新时间2023-10-26 9:32:00

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