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BD681G	文件：60.93 Kbytes Page：4 Pages	Plastic Medium?뭁ower Silicon NPN Darlingtons Thisseriesofplastic,medium−powersiliconNPNDarlingtontransistorscanbeusedasoutputdevicesincomplementarygeneral−purposeamplifierapplications. Features •HighDCCurrentGain:hFE=750(Min)@IC=1.5and2.0Adc •MonolithicConstruction •BD675,675A,677,677A,679,679A,	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
BD681G	文件：87.33 Kbytes Page：4 Pages	Plastic Medium-Power Silicon NPN Darlingtons	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
BD681G	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带封装/外壳：TO-225AA，TO-126-3 类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN DARL 100V 4A TO126	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
681	文件：71.81 Kbytes Page：2 Pages	RECTIFIERSASSEMBLIES	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司
681	文件：178.23 Kbytes Page：4 Pages	SHIELDEDSMTPOWERINDUCTORS ●FEATURE VarioushighpowerinductorareSuperior tobehighsaturationforsurfacemounting ●APPLICATIONS 2DC/DCconverterpowersupply, Telecommunicationequipment	PRODUCTWELLProductwell Precision Elect.CO.,LTD 寶德華股台灣寶德華股有限公司
681	文件：573 Kbytes Page：6 Pages	3M??Scotch짰TransparentFilmTape681	3MMinnesota Mining and Manufacturing 明尼苏达矿务明尼苏达矿务及制造业公司
681	文件：817.73 Kbytes Page：4 Pages	POWERINDUCTOR ●FEATURE 1.Excellentsolderheatresistance(add“C”isforhighcurrenttype) 2.Lowvoltagedropsandsmallvariationsinductance ●APPLICATION 1.DCpowersupplycircuits 2.Powerlinechokecoils…etc	AITSEMIAiT Semiconductor Inc. AiT創瑞科技
681	文件：718.61 Kbytes Page：4 Pages	WIREWOUNDSMDINDUCTOR ●FEATURE 1.Lowcorelossforhighfrequencypowerapplication 2.Largeterminalsurface ●APPLICATION 1.Portablecommunicationequipment,notebookcomputer	AITSEMIAiT Semiconductor Inc. AiT創瑞科技
681JE	文件：124.92 Kbytes Page：1 Pages	CarbonCompositionMoldedOD/OFSeries(5Tol.)OASeries(10)	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商
681P	文件：623.78 Kbytes Page：5 Pages	HighDischargeRateEnergy-StorageMetalized-FilmCapacitors Features •Highenergydensity •Metaltubularcase •Lightweight •5joules/cu.in. •80joules/pound MajorApplications: Flash,laser,strobe,beacons.	EXXELIAExxelia Group EXXELIA集团
AN681	文件：219.35 Kbytes Page：10 Pages	USINGTHESi87XXFAMILYOFDIGITALISOLATORS	SILABSSilicon Laboratories 芯科科技深圳芯科科技有限公司
ARF681	文件：122 Kbytes Page：2 Pages	FASTRECOVERYDIODE FASTRECOVERYDIODE FORIGBT,IEGT,GCTAPPLICATIONS SNUBBERLESSOPERATION LOWLOSSESSOFTRECOVERY Repetitivevoltageupto4500V Meanforwardcurrent1145A Surgecurrent25kA	POSEICO Power Semiconductors
AT681	文件：43.51 Kbytes Page：4 Pages	PHASECONTROLTHYRISTOR PHASECONTROLTHYRISTOR Repetitivevoltageupto6000V Meanon-statecurrent840A Surgecurrent10kA	POSEICO Power Semiconductors
BD681	文件：87.96 Kbytes Page：6 Pages	COMPLEMENTARYSILICONPOWERDARLINGTONTRANSISTORS Description ThedevicesaremanufacturedinplanarbaseislandtechnologywithmonolithicDarlingtonconfiguration. Features ■GoodhFElinearity ■HighfTfrequency ■MonolithicDarlingtonconfigurationwith integratedantiparallelcollector-emitterdiode Applications ■Line	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
BD681	文件：252.33 Kbytes Page：6 Pages	COMPLEMENTARYSILICONPOWERDARLINGTONTRANSISTORS	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
BD681	文件：39.45 Kbytes Page：4 Pages	MediumPowerLinearandSwitchingApplications MediumPowerLinearandSwitchingApplications •MediumPowerDarlingtonTR •ComplementtoBD676A,BD678A,BD680AandBD682respectively	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
BD681	文件：60.93 Kbytes Page：4 Pages	PlasticMedium?뭁owerSiliconNPNDarlingtons Thisseriesofplastic,medium−powersiliconNPNDarlingtontransistorscanbeusedasoutputdevicesincomplementarygeneral−purposeamplifierapplications. Features •HighDCCurrentGain:hFE=750(Min)@IC=1.5and2.0Adc •MonolithicConstruction •BD675,675A,677,677A,679,679A,	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
BD681	文件：130.63 Kbytes Page：3 Pages	NPNPLASTICPOWERDARLINGTONTRANSISTORS NPNPLASTICPOWERDARLINGTONTRANSISTORS ComplementaryBD676,676A,678,678A,680,680A,682&684	TEL TRANSYS Electronics Limited
BD681	文件：382.94 Kbytes Page：12 Pages	ComplementarypowerDarlingtontransistors Description ThedevicesaremanufacturedinplanarbaseislandtechnologywithmonolithicDarlingtonconfiguration. Features ■GoodhFElinearity ■HighfTfrequency ■MonolithicDarlingtonconfigurationwith integratedantiparallelcollector-emitterdiode Applications ■Line	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
BD681	文件：103.03 Kbytes Page：3 Pages	SiliconNPNPowerTransistors DESCRIPTION •WithTO-126package •ComplementtotypeBD676A/678A/680A/682 •DARLINGTON APPLICATIONS •Formediumpowerlinearandswitchingapplications	SAVANTIC Savantic, Inc.

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产品属性

产品编号：
BD681G
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
NPN - 达林顿
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
2.5V @ 30mA，1.5A
电流 - 集电极截止（最大值）：
500µA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
750 @ 1.5A，3V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-225AA，TO-126-3
供应商器件封装：
TO-126
描述：
TRANS NPN DARL 100V 4A TO126

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市凯昱电子有限公司	BD681G	ON	21+	TO-225	6880	只做原装,支持实单	询价
中天科工半导体（深圳）有限公司	BD681G	onsemi	23+	TO-225AA,TO-126-3	30000	晶体管-分立半导体产品-原装正品	询价
深圳市龙瀚电子有限公司	BD681G	ON	16+/17+	TO-225	78000	渠道现货库存-原装正品	询价
瀚佳科技(深圳)有限公司	BD681G	ON	16+	TO-225	8900	全新原装现货,假一罚十	询价
深圳市鸿博高科电子有限公司	BD681G	ON	20+	TO-225	50000		询价
深圳市珩瑞科技有限公司	BD681G	ON/安森美	21+	TO-225	6000	原装正品	询价
深圳市恒凯威科技开发有限公司	BD681G	ON	21+	TO-225	6880	只做原装,质量保证	询价
深圳市宝隆宏业科技有限公司	BD681G	ON/安森美	2122+	TO-225	13381	原装现货,假一赔十,价格优势	询价
深圳市柯尔基电子有限公司	BD681G	ON	22+	TO-225	29865	主营ON原装正品.终端BOM表可配单	询价
深圳市东来宝电子科技有限公司	BD681G	ON/安森美	22+	TO-225	59000	郑重承诺只做原装进口现货	询价

更多BD681G供应商更新时间2023-10-26 9:32:00

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