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BD680A	文件：382.94 Kbytes Page：12 Pages	ComplementarypowerDarlingtontransistors Description ThedevicesaremanufacturedinplanarbaseislandtechnologywithmonolithicDarlingtonconfiguration. Features ■GoodhFElinearity ■HighfTfrequency ■MonolithicDarlingtonconfigurationwith integratedantiparallelcollector-emitterdiode Applications ■Line	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
BD680A	文件：102.46 Kbytes Page：3 Pages	SiliconPNPPowerTransistors DESCRIPTION •WithTO-126package •ComplementtotypeBD675A/677A/679A/681 •DARLINGTON •HighDCcurrentgain APPLICATIONS •Formediumpowerlinearandswitchingapplications	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
BD680A	文件：131.11 Kbytes Page：3 Pages	SiliconPNPPowerTransistors DESCRIPTION •WithTO-126package •ComplementtotypeBD675A/677A/679A/681 •DARLINGTON •HighDCcurrentgain APPLICATIONS •Formediumpowerlinearandswitchingapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
BD680A	文件：2.43533 Mbytes Page：31 Pages	SEMICONDUCTORS	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商	etc2
BD680A	文件：153 Kbytes Page：6 Pages	MediumPowerLinearandSwitching	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BD680AG	文件：59.19 Kbytes Page：4 Pages	PlasticMedium?뭁owerSiliconPNPDarlingtons PlasticMedium−PowerSiliconPNPDarlingtons Thisseriesofplastic,medium−powersiliconPNPDarlingtontransistorscanbeusedasoutputdevicesincomplementarygeneral−purposeamplifierapplications. Features •HighDCCurrentGain−hFE=750(Min)@IC=1.5and2.0Adc •MonolithicCons	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BD680AG	文件：87.44 Kbytes Page：4 Pages	PlasticMedium-PowerSiliconPNPDarlingtons	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BD680CS	文件：146.79 Kbytes Page：2 Pages	6.0ASCHOTTKYBARRIERDIODE	ZSELECZibo Seno Electronic Engineering Co.,Ltd 淄博圣诺电子淄博圣诺电子工程有限公司	ZSELEC
BD680CS	文件：123.03 Kbytes Page：3 Pages	SURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS Voltage40~200VCurrent6A Features ●PlasticpackagehasUnderwritersLaboratory FlammabilityClassification94V-O. ●Forsurfacemountedapplicationsinordertooptimizeboardspace ●Lowpowerloss,Highefficiency ●Highsurgecapacity ●Hightemperaturesolderingguaranteed:260oC	PANJITPANJIT International Inc. 强茂強茂股份有限公司	PANJIT
BD680CT	文件：46.68 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS SURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS FEATURES •PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-O •Forsurfacemountedapplications •Lowprofilepackage •Built-instrainrelief •Lowpowerloss,Highefficiency •Highsurgecapacity •F	PANJITPANJIT International Inc. 强茂強茂股份有限公司	PANJIT
BD680CT	文件：147.04 Kbytes Page：2 Pages	6.0ASCHOTTKYBARRIERDIODE	ZSELECZibo Seno Electronic Engineering Co.,Ltd 淄博圣诺电子淄博圣诺电子工程有限公司	ZSELEC
BME680	文件：1.98116 Mbytes Page：50 Pages	Lowpowergas,pressure,temperature&humiditysensor	bosch 博世	bosch
C680	文件：501.68 Kbytes Page：1 Pages	500WATTS(AC)DC/DCSINGLEOUTPUT Features •SingleOutput •3Ux42TEx166.5mm •Weight:3.5kg	POWERBOX Powerbox manufactures	POWERBOX
C-680-K	文件：192.91 Kbytes Page：1 Pages	CoilsandChokesforgeneraluse	PREMOPREMO CORPORATION S.L 普莱默普莱默电子（芜湖）有限公司	PREMO
CDBD680-G	文件：94.81 Kbytes Page：4 Pages	ChipSchottkyBarrierRectifier	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
CL680	文件：682.83 Kbytes Page：4 Pages	SINGLE-CHIPAUDIO/VIDEO/CD-ROMDECODERWITHINTEGRATEDNTSC/PALENCODER [C-CUBE] TheCL680VideoCDDecoderisahighlyintegratedMPEG-1systemdecoderforVideoCDplayers. •HigherIntegration:TheCL680hasanintegrateddigitalNTSC/PALencoder,eliminating theneedforadiscretedeviceandreducingtotaldesignfootprint.Stereokeycontroland vocalfa	ETC1List of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC1
CM680	文件：225.09 Kbytes Page：1 Pages	T-1WireTerminal(standard) T-1WireTerminal(standard)	CMLCML CML	CML
CM680	文件：31.74 Kbytes Page：1 Pages	WireTerminal(standard)	VCC Visual Communications Company	VCC
COP680C	文件：400 Kbytes Page：30 Pages	Microcontrollers	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
COP680C-XXX/N	文件：400 Kbytes Page：30 Pages	Microcontrollers	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC

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产品属性

产品编号：
BD680G
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
PNP - 达林顿
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
2.5V @ 30mA，1.5A
电流 - 集电极截止（最大值）：
500µA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
750 @ 1.5A，3V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-225AA，TO-126-3
供应商器件封装：
TO-126
描述：
TRANS PNP DARL 80V 4A TO126

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多BD680G供应商更新时间2024-4-30 16:44:00

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