首页>BD679A>规格书详情

BD679A中文资料互补硅功率达林顿晶体管数据手册ST规格书

PDF无图
厂商型号

BD679A

参数属性

BD679A 封装/外壳为TO-225AA,TO-126-3;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN DARL 80V 4A SOT32-3

功能描述

互补硅功率达林顿晶体管
TRANS NPN DARL 80V 4A SOT32-3

封装外壳

TO-225AA,TO-126-3

制造商

ST STMicroelectronics

中文名称

意法半导体 意法半导体集团

数据手册

原厂下载下载地址下载地址二

更新时间

2025-9-28 18:22:00

人工找货

BD679A价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货

BD679A规格书详情

描述 Description

The devices are manufactured in planar base island technology with monolithic Darlington configuration.

特性 Features

• Good hFE linearity
• Monolithic Darlington configuration with integrated antiparallel collector-emitter diode
• High fT frequency

简介

BD679A属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的BD679A晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :BD679A

  • 生产厂家

    :ST

  • Marketing Status

    :Active

  • Grade

    :Industrial

  • Transistor Polarity

    :NPN

  • Collector-Emitter Voltage_max(V)

    :80

  • Collector-Base Voltage_max(V)

    :80

  • Collector Current_abs_max(A)

    :4

  • Dc Current Gain_min

    :750

  • Test Condition for hFE (IC)

    :2

  • Test Condition for hFE (VCE)_spec(V)

    :3

  • VCE(sat)_max(V)

    :2.8

  • Test Condition for VCE(sat) - IC

    :2

  • Test Condition for VCE(sat) - IB_spec(mA)

    :40

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ST
24+/25+
554
原装正品现货库存价优
询价
STM
23+
SOT-32-3 (TO-126-3)
50000
原装正品 支持实单
询价
ST(意法)
23+
NA
20094
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持
询价
ST/意法半导体
24+
SOT-32
16900
原装,正品
询价
ST
2024+
N/A
70000
柒号只做原装 现货价秒杀全网
询价
ON/安森美
25+
25000
原厂原包 深圳现货 主打品牌 假一赔百 可开票!
询价
ON
24+
TO-126
8000
只做原装正品现货 欢迎来电查询15919825718
询价
ST
25+
TO-126
16900
原装,请咨询
询价
ST/意法
2450+
SOT-32-3(TO-126-3)
9850
只做原厂原装正品现货或订货假一赔十!
询价
STM
23+
SOT-32-3 (TO-126-3)
6000
询价