BD679A中文资料互补硅功率达林顿晶体管数据手册ST规格书

厂商型号 |
BD679A |
参数属性 | BD679A 封装/外壳为TO-225AA,TO-126-3;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN DARL 80V 4A SOT32-3 |
功能描述 | 互补硅功率达林顿晶体管 |
封装外壳 | TO-225AA,TO-126-3 |
制造商 | ST STMicroelectronics |
中文名称 | 意法半导体 意法半导体集团 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-9-28 18:22:00 |
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BD679A规格书详情
描述 Description
The devices are manufactured in planar base island technology with monolithic Darlington configuration.
特性 Features
• Good hFE linearity
• Monolithic Darlington configuration with integrated antiparallel collector-emitter diode
• High fT frequency
简介
BD679A属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的BD679A晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 制造商编号
:BD679A
- 生产厂家
:ST
- Marketing Status
:Active
- Grade
:Industrial
- Transistor Polarity
:NPN
- Collector-Emitter Voltage_max(V)
:80
- Collector-Base Voltage_max(V)
:80
- Collector Current_abs_max(A)
:4
- Dc Current Gain_min
:750
- Test Condition for hFE (IC)
:2
- Test Condition for hFE (VCE)_spec(V)
:3
- VCE(sat)_max(V)
:2.8
- Test Condition for VCE(sat) - IC
:2
- Test Condition for VCE(sat) - IB_spec(mA)
:40
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
24+/25+ |
554 |
原装正品现货库存价优 |
询价 | |||
STM |
23+ |
SOT-32-3 (TO-126-3) |
50000 |
原装正品 支持实单 |
询价 | ||
ST(意法) |
23+ |
NA |
20094 |
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
24+ |
SOT-32 |
16900 |
原装,正品 |
询价 | ||
ST |
2024+ |
N/A |
70000 |
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询价 | ||
ON/安森美 |
25+ |
25000 |
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询价 | |||
ON |
24+ |
TO-126 |
8000 |
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询价 | ||
ST |
25+ |
TO-126 |
16900 |
原装,请咨询 |
询价 | ||
ST/意法 |
2450+ |
SOT-32-3(TO-126-3) |
9850 |
只做原厂原装正品现货或订货假一赔十! |
询价 | ||
STM |
23+ |
SOT-32-3 (TO-126-3) |
6000 |
询价 |