BD678A中文资料COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS数据手册ST规格书

厂商型号 |
BD678A |
参数属性 | BD678A 封装/外壳为TO-225AA,TO-126-3;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP DARL 60V 4A SOT32-3 |
功能描述 | COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS |
封装外壳 | TO-225AA,TO-126-3 |
制造商 | ST STMicroelectronics |
中文名称 | 意法半导体 意法半导体集团 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-9-22 15:30:00 |
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BD678A规格书详情
特性 Features
• Good hFE linearity
• Monolithic Darlington configuration with integrated antiparallel collector-emitter diode
• High fT frequency
简介
BD678A属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的BD678A晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 制造商编号
:BD678A
- 生产厂家
:ST
- Marketing Status
:NRND
- Grade
:Industrial
- Transistor Polarity
:PNP
- Collector-Emitter Voltage_max(V)
:60
- Collector-Base Voltage_max(V)
:60
- Collector Current_abs_max(A)
:4
- Dc Current Gain_min
:750
- Test Condition for hFE (IC)
:2
- Test Condition for hFE (VCE)_spec(V)
:3
- VCE(sat)_max(V)
:2.8
- Test Condition for VCE(sat) - IC
:2
- Test Condition for VCE(sat) - IB_spec(mA)
:40
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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