BD677中文资料中等功率 NPN 达林顿双极功率晶体管数据手册ONSEMI规格书
| 厂商型号 |
BD677 |
| 参数属性 | BD677 封装/外壳为TO-225AA，TO-126-3；包装为散装；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS NPN DARL 60V 4A TO126 |
| 功能描述 | 中等功率 NPN 达林顿双极功率晶体管 |
| 封装外壳 | TO-225AA，TO-126-3 |
| 制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
| 中文名称 | 安森美半导体 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-22 16:53:00 |
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BD677规格书详情
描述 Description
The Medium Power NPN Darlington Bipolar Power Transistor is for use as output devices in complementary general-purpose amplifier applications.
特性 Features
• High DC Current GainhFE = 750 (Min) @ IC = 1.5 and 2.0 Adc
• Monolithic Construction
• BD675, 675A, 677, 677A, 679, 679A, 681 are complementary with BD676, 676A, 678, 678A, 680, 680A, 682
• BD677, 677A, 679, 679A are equivalent to MJE 800, 801, 802, 803
• Pb-Free Packages are Available
简介
BD677属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由制造生产的BD677晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 制造商编号
：BD677
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Polarity
：NPN
- IC Continuous (A)
：4
- V(BR)CEO Min (V)
：60
- VCE(sat) Max (V)
：2.5
- hFE Min (k)
：0.75
- hFE Max (k)
：-
- fT Min (MHz)
：-
- Package Type
：TO-225-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ROHM/罗姆 |
24+ |
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ROHM |
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23+ |
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