BD678中文资料4.0 A,60 V,PNP 达林顿双极功率晶体管数据手册ONSEMI规格书

厂商型号 |
BD678 |
参数属性 | BD678 封装/外壳为TO-225AA,TO-126-3;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP DARL 60V 4A TO126 |
功能描述 | 4.0 A,60 V,PNP 达林顿双极功率晶体管 |
封装外壳 | TO-225AA,TO-126-3 |
制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
中文名称 | 安森美半导体 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-9-22 15:30:00 |
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BD678规格书详情
描述 Description
This series of plastic, medium-powerPNP Darlington transistors can be used as output devices in complementary general-purpose amplifier applications.
特性 Features
• High DC Current Gain - hFE = 750 (Min) @ IC = 1.5 and 2.0 Adc
• Monolithic Construction
• BD676, 676A, 678, 678A, 680, 680A, 682 are complementary with BD675, 675A, 677, 677A, 679, 679A, 681
• BD 678, 678A, 680, 680A are equivalent to MJE 700, 701, 702, 703
• Pb-Free Packages are Available
简介
BD678属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的BD678晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 制造商编号
:BD678
- 生产厂家
:ONSEMI
- Pb-free
:Pb
- Halide free
:H
- Status
:Active
- Polarity
:PNP
- IC Continuous (A)
:4
- V(BR)CEO Min (V)
:60
- VCE(sat) Max (V)
:2.5
- hFE Min (k)
:0.75
- hFE Max (k)
:-
- fT Min (MHz)
:-
- Package Type
:TO-225-3
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILDSEMICONDUCTOR |
22+ |
N/A |
12245 |
现货,原厂原装假一罚十! |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
21+ |
SOT-32 |
8860 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
ST/意法 |
2450+ |
TO126 |
6540 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
询价 | ||
ROHM |
21+ |
50 |
全新原装鄙视假货 |
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ON |
24+ |
TO-126 |
80000 |
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增 |
询价 | ||
ST(意法) |
25+ |
封装 |
500000 |
源自原厂成本,高价回收工厂呆滞 |
询价 | ||
STM |
23+ |
SOT-32-3 (TO-126-3) |
50000 |
原装正品 支持实单 |
询价 | ||
2023+ |
3000 |
进口原装现货 |
询价 | ||||
ST/意法半导体 |
25+ |
原厂封装 |
10280 |
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ONSEMI/安森美 |
25+ |
TO-252 |
45000 |
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