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BD677A数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF

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厂商型号

BD677A

参数属性

BD677A 封装/外壳为TO-225AA,TO-126-3;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN DARL 60V 4A SOT32-3

功能描述

互补硅功率达林顿晶体管
TRANS NPN DARL 60V 4A SOT32-3

封装外壳

TO-225AA,TO-126-3

制造商

ST STMicroelectronics

中文名称

意法半导体 意法半导体集团

数据手册

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更新时间

2025-8-7 9:58:00

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BD677A规格书详情

描述 Description

The devices are manufactured in planar base island technology with monolithic Darlington configuration.

特性 Features

• Good hFE linearity
• Monolithic Darlington configuration with integrated antiparallel collector-emitter diode
• High fT frequency

简介

BD677A属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的BD677A晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :BD677A

  • 生产厂家

    :ST

  • Marketing Status

    :Active

  • Grade

    :Industrial

  • Transistor Polarity

    :NPN

  • Collector-Emitter Voltage_max(V)

    :60

  • Collector-Base Voltage_max(V)

    :60

  • Collector Current_abs_max(A)

    :4

  • Dc Current Gain_min

    :750

  • Test Condition for hFE (IC)

    :2

  • Test Condition for hFE (VCE)_spec(V)

    :3

  • VCE(sat)_max(V)

    :2.8

  • Test Condition for VCE(sat) - IC

    :2

  • Test Condition for VCE(sat) - IB_spec(mA)

    :40

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ST/意法半导体
23+
SOT-32-3
12700
买原装认准中赛美
询价
ST/意法半导体
23+
N/A
20000
询价
ST/意法半导体
24+
SOT-32-3
10000
十年沉淀唯有原装
询价
STMicroelectronics
2022+
1
全新原装 货期两周
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ST/意法半导体
21+
SOT-32-3
8860
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ST/意法
23+
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50000
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ST/意法半导体
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只做原装正品现货 欢迎来电查询15919825718
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ST(意法)
23+
NA
20094
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持
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