BD678中文资料互补硅功率达林顿晶体管数据手册ST规格书
| 厂商型号 |
BD678 |
| 参数属性 | BD678 封装/外壳为TO-225AA，TO-126-3；包装为带盒（TB）；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS PNP DARL 60V 4A SOT32-3 |
| 功能描述 | 互补硅功率达林顿晶体管 |
| 封装外壳 | TO-225AA，TO-126-3 |
| 制造商 | ST STMicroelectronics |
| 中文名称 | 意法半导体 意法半导体集团 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-22 15:30:00 |
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BD678规格书详情
描述 Description
The devices are manufactured in planar base island technology with monolithic Darlington configuration.
特性 Features
• Good hFE linearity
• Monolithic Darlington configuration with integrated antiparallel collector-emitter diode
• High fT frequency
简介
BD678属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由制造生产的BD678晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 制造商编号
：BD678
- 生产厂家
：ST
- Marketing Status
：Active
- Grade
：Industrial
- Transistor Polarity
：PNP
- Collector-Emitter Voltage_max(V)
：60
- Collector-Base Voltage_max(V)
：60
- Collector Current_abs_max(A)
：4
- Dc Current Gain_min
：750
- Test Condition for hFE (IC)
：1.5
- Test Condition for hFE (VCE)_spec(V)
：3
- VCE(sat)_max(V)
：2.5
- Test Condition for VCE(sat) - IC
：1.5
- Test Condition for VCE(sat) - IB_spec(mA)
：30
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILDSEMICONDUCTOR |
22+ |
N/A |
12245 |
现货,原厂原装假一罚十! |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
21+ |
SOT-32 |
8860 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
ST/意法 |
2450+ |
TO126 |
6540 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
询价 | ||
ROHM |
21+ |
50 |
全新原装鄙视假货 |
询价 | |||
ON |
24+ |
TO-126 |
80000 |
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增 |
询价 | ||
ST(意法) |
25+ |
封装 |
500000 |
源自原厂成本,高价回收工厂呆滞 |
询价 | ||
STM |
23+ |
SOT-32-3 (TO-126-3) |
50000 |
原装正品 支持实单 |
询价 | ||
2023+ |
3000 |
进口原装现货 |
询价 | ||||
ST/意法半导体 |
25+ |
原厂封装 |
10280 |
原厂授权代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源！ |
询价 | ||
ONSEMI/安森美 |
25+ |
TO-252 |
45000 |
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询价 |
