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BD678中文资料互补硅功率达林顿晶体管数据手册ST规格书

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厂商型号

BD678

参数属性

BD678 封装/外壳为TO-225AA,TO-126-3;包装为带盒(TB);类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP DARL 60V 4A SOT32-3

功能描述

互补硅功率达林顿晶体管
TRANS PNP DARL 60V 4A SOT32-3

封装外壳

TO-225AA,TO-126-3

制造商

ST STMicroelectronics

中文名称

意法半导体 意法半导体集团

数据手册

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更新时间

2026-1-25 14:06:00

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晶体管资料

  • 型号:

    BD678(A)

  • 别名:

    BD678三极管、BD678晶体管、BD678晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-P+Darl+Di

  • 性质:

    低频或音频放大 (LF)_功率放大 (L)

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

    60V

  • 最大电流允许值:

    4A

  • 最大工作频率:

    >10MHZ

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

    BD262,BD778,FC50B,2N6035,

  • 最大耗散功率:

    40W

  • 放大倍数:

    β>750

  • 图片代号:

    B-21

  • vtest:

    60

  • htest:

    10000100

  • atest:

    4

  • wtest:

    40

BD678规格书详情

描述 Description

The devices are manufactured in planar base island technology with monolithic Darlington configuration.

特性 Features

• Good hFE linearity
• Monolithic Darlington configuration with integrated antiparallel collector-emitter diode
• High fT frequency

简介

BD678属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由ST制造生产的BD678晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :BD678

  • 生产厂家

    :ST

  • Marketing Status

    :Active

  • Grade

    :Industrial

  • Transistor Polarity

    :PNP

  • Collector-Emitter Voltage_max(V)

    :60

  • Collector-Base Voltage_max(V)

    :60

  • Collector Current_abs_max(A)

    :4

  • Dc Current Gain_min

    :750

  • Test Condition for hFE (IC)

    :1.5

  • Test Condition for hFE (VCE)_spec(V)

    :3

  • VCE(sat)_max(V)

    :2.5

  • Test Condition for VCE(sat) - IC

    :1.5

  • Test Condition for VCE(sat) - IB_spec(mA)

    :30

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