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BD679中文资料中等功率 NPN 达林顿双极功率晶体管数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

BD679

参数属性

BD679 封装/外壳为TO-225AA,TO-126-3;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN DARL 80V 4A TO126

功能描述

中等功率 NPN 达林顿双极功率晶体管
TRANS NPN DARL 80V 4A TO126

封装外壳

TO-225AA,TO-126-3

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-28 13:00:00

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BD679规格书详情

描述 Description

The Medium Power NPN Darlington Bipolar Power Transistor is for use as output devices in complementary general-purpose amplifier applications.

特性 Features

• High DC Current GainhFE = 750 (Min) @ IC = 1.5 and 2.0 Adc
• Monolithic Construction
• BD675, 675A, 677, 677A, 679, 679A, 681 are complementary with BD676, 676A, 678, 678A, 680, 680A, 682
• BD677, 677A, 679, 679A are equivalent to MJE 800, 801, 802, 803
• Pb-Free Packages are Available

简介

BD679属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的BD679晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :BD679

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Polarity

    :NPN

  • IC Continuous (A)

    :4

  • V(BR)CEO Min (V)

    :80

  • VCE(sat) Max (V)

    :2.5

  • hFE Min (k)

    :0.75

  • hFE Max (k)

    :-

  • fT Min (MHz)

    :-

  • Package Type

    :TO-225-3

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