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HSBD436	文件：125.04 Kbytes Page：1 Pages	PNPSILICONTRANSISTOR APPLICATIONS MediumPowerLinearswitchingApplications	HuashanSHANTOU HUASHAN ELECTRONIC DEVICES CO.,LTD 华汕电子器件汕头华汕电子器件有限公司	Huashan
HW436	文件：892.97 Kbytes Page：1 Pages	1/2WATTMETAL	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
HW436	文件：929.88 Kbytes Page：1 Pages	1/2WATTMETAL	NTE NTE Electronics	NTE
HWS436	文件：84.02 Kbytes Page：3 Pages	GaAsDC-6GHzDPDTSwitch Description TheHWS436isaGaAsPHEMTMMICDPDTswitchoperatingatDC-6GHzinalowcostminiatureQFN12L(3x3mm)plasticlead(Pb)freepackage.TheHWS436featureslowinsertionlossandhighisolationwithverylowDCpowerconsumption.ThisswitchcanbeusedinIEEE802.11a/b/gWLAN	HWHexawave, Inc 汉威光电汉威光电股份有限公司	HW
IS436	文件：135.89 Kbytes Page：4 Pages	BUILTINAMPTYPELIGHTDETECTOR	SHARPSharp Microelectronics of the Americas (SMA) 夏普微美国夏普微电子公司（SMA）	SHARP
ISCND436D	文件：377.41 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconNPNPowerTransistor DESCRIPTION ·Collector–EmitterSustainingVoltage VCEO:500V(Min) ·LowCollectorSaturationVoltage :VCE(sat)=1.3V(Max.)@IC=2A ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·Designedforhighvoltageandgeneralpurposeapplications.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
J436	文件：568.22 Kbytes Page：5 Pages	1X1Tab-DownRJ45	pulse Pulse A Technitrol Company	pulse
LPC436X	文件：7.00885 Mbytes Page：156 Pages	32-bitARMCortex-M4/M0MCU;upto1MBflashand154kBSRAM;Ethernet,twoHigh-speedUSB,LCD,EMC	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
LT436	文件：98.63 Kbytes Page：3 Pages	PhotoDMOS-FETRelay Description TheLT436isa1-FormAsolidstaterelayinan4pinDIPpackagethatemploysoptically coupledMOSFETtechnologytoprovide3750V/5000Vofinputtooutputisolation.The opticallycoupledinputiscontrolledbyahighlyefficientGaAlAsinfraredLEDand MOSFETsontheoutputsid	LETEXLETEX technology corp 台湾丽太丽太科技股份有限公司	LETEX
MAX436	文件：700.34 Kbytes Page：16 Pages	WidebandTrasconductanceAmplifiers	MaximMaxim Integrated Products 美信美信半导体	Maxim

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产品属性

产品编号：
BD436T
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
500mV @ 200mA，2A
电流 - 集电极截止（最大值）：
100µA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
85 @ 500mA，1V
频率 - 跃迁：
3MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-225AA，TO-126-3
供应商器件封装：
TO-126
描述：
TRANS PNP 32V 4A TO126

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更多BD436T供应商更新时间2025-5-23 11:04:00

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