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ISCND436D	文件：377.41 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·Collector–EmitterSustainingVoltage VCEO:500V(Min) ·LowCollectorSaturationVoltage :VCE(sat)=1.3V(Max.)@IC=2A ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·Designedforhighvoltageandgeneralpurposeapplications.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
J436	文件：568.22 Kbytes Page：5 Pages	1X1Tab-DownRJ45	pulse Pulse A Technitrol Company	pulse
LT436	文件：98.63 Kbytes Page：3 Pages	PhotoDMOS-FETRelay Description TheLT436isa1-FormAsolidstaterelayinan4pinDIPpackagethatemploysoptically coupledMOSFETtechnologytoprovide3750V/5000Vofinputtooutputisolation.The opticallycoupledinputiscontrolledbyahighlyefficientGaAlAsinfraredLEDand MOSFETsontheoutputsid	LETEXLETEX technology corp 台湾丽太丽太科技股份有限公司	LETEX
MAX436	文件：700.34 Kbytes Page：16 Pages	WidebandTrasconductanceAmplifiers	MaximMaxim Integrated Products 美信美信半导体	Maxim
MAX436C/D	文件：700.34 Kbytes Page：16 Pages	WidebandTrasconductanceAmplifiers	MaximMaxim Integrated Products 美信美信半导体	Maxim
MAX436CPD	文件：700.34 Kbytes Page：16 Pages	WidebandTrasconductanceAmplifiers	MaximMaxim Integrated Products 美信美信半导体	Maxim
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