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B370	文件：242.64 Kbytes Page：3 Pages	SurfaceMountSchottkyBarrierRectifiers Features: ForSurfaceMountApplication Metal-SemiconductorJunctionWithGuardring EpitaxialConstruction VeryLowForwardVoltageDrop HighCurrentCapability PlasticMeterialHasULFlammabilityClassification94V-0 *ForUseInLow,AndPolarityProtectionApplications	WEITRONWEITRON 威堂電子科技	WEITRON
B370	文件：219.55 Kbytes Page：3 Pages	SurfaceMountSchottkyBarrierRectifiers Features: ForSurfaceMountApplication Metal-SemiconductorJunctionWithGuardring EpitaxialConstruction VeryLowForwardVoltageDrop HighCurrentCapability PlasticMeterialHasULFlammabilityClassification94V-0 *ForUseInLow,AndPolarityProtectionApplications	WEITRONWEITRON 威堂電子科技	WEITRON
B370	文件：217.77 Kbytes Page：3 Pages	3.0AHIGHVOLTAGESCHOTTKYBARRIERRECTIFIER	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
B370	文件：98.01 Kbytes Page：4 Pages	3.0AHIGHVOLTAGESCHOTTKYBARRIERRECTIFIER	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
B370A	文件：107.27 Kbytes Page：3 Pages	SurfaceMountSchottkyBarrierRectifiers Features: ForSurfaceMountApplication Metal-SemiconductorJunctionWithGuardring EpitaxialConstruction VeryLowForwardVoltageDrop HighCurrentCapability PlasticMeterialHasULFlammabilityClassification94V-0 ForUseInLow,AndPolarityProtectionApplications	WEITRONWEITRON 威堂電子科技	WEITRON
B370B	文件：108.86 Kbytes Page：4 Pages	3.0ASURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERRECTIFIER Features •GuardRingDieConstructionforTransientProtection •IdeallySuitedforAutomatedAssembly •LowPowerLoss,HighEfficiency •SurgeOverloadRatingto125APeak •ForUseinLowVoltage,HighFrequencyInverters,Free Wheeling,andPolarityProtectionApplication •Lead-FreeF	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
B370BE	文件：466.57 Kbytes Page：6 Pages	3.0ASCHOTTKYBARRIERRECTIFIER Features ReducedLowForwardVoltageDrop(VF);BetterEfficiencyand CoolerOperation ReducedHigh-temperatureReverseLeakage;Increased ReliabilityagainstThermalRunawayFailureinHigh TemperatureOperation. Lead-FreeFinish;RoHSCompliant(Notes1&2) HalogenandAntimonyF	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
B370CE	文件：466.57 Kbytes Page：6 Pages	3.0ASCHOTTKYBARRIERRECTIFIER Features ReducedLowForwardVoltageDrop(VF);BetterEfficiencyand CoolerOperation ReducedHigh-temperatureReverseLeakage;Increased ReliabilityagainstThermalRunawayFailureinHigh TemperatureOperation. Lead-FreeFinish;RoHSCompliant(Notes1&2) HalogenandAntimonyF	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
B370Q	文件：293.11 Kbytes Page：4 Pages	3.0AHIGHVOLTAGESCHOTTKYBARRIERRECTIFIER	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
BC370Q	文件：689.37 Kbytes Page：1 Pages	Intel®Q370ATXMotherboardsupports8th/9thGenIntel®Core™/Pentium®/Celeron®Processors Features •LGA1151Socketsupports8th/9thGenIntel®Core™/Pentium/ CeleronProcessors(CoffeeLake/CoffeeLakeRefresh)upto 95WTDP•4xDIMMsocketssupport2666/2400/2133MHzDIMMupto 64GBsystemmemory•1xPCIex16,2xPCIex4,2xPCIex1,2xPCI,2xM.2•SupportsTripleDisp	BCM bcm advanced search	BCM
BD370A	文件：146.76 Kbytes Page：1 Pages	MediumPowerAmplifiersandSwitches	ETC1List of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC1
BD370C	文件：146.76 Kbytes Page：1 Pages	MediumPowerAmplifiersandSwitches	ETC1List of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC1
BF370	文件：41.87 Kbytes Page：8 Pages	NPNmediumfrequencytransistor DESCRIPTION NPNmediumfrequencytransistorinaTO-92;SOT54plasticpackage. FEATURES •Lowcurrent(max.100mA) •Lowvoltage(max.15V). APPLICATIONS •IFpre-amplifiersoftelevisionreceivers.	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BF370	文件：104.12 Kbytes Page：6 Pages	NPNmediumfrequencytransistor DESCRIPTION NPNmediumfrequencytransistorinaTO-92;SOT54plasticpackage. FEATURES •Lowcurrent(max.100mA) •Lowvoltage(max.15V). APPLICATIONS •IFpreamplifiersoftelevisionreceivers.	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
BF370	文件：125.98 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR(NPN) FEATURES Powerdissipation PCM:0.5W(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:0.1A Collector-basevoltage V(BR)CBO:40V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳实业深圳市永而佳实业有限公司	WINNERJOIN
BF370	文件：404.11 Kbytes Page：3 Pages	TO-92Plastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●LowSaturationMediumCurrentApplication ●HighTransitionFrequency	JIANGSU Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd	JIANGSU
BF370	文件：669.56 Kbytes Page：5 Pages	SiliconNPNtransistorinaTO-92(R)PlasticPackage Descriptions SiliconNPNtransistorinaTO-92(R)PlasticPackage. Features Lowcurrent,lowvoltage. Applications IFpre-amplifiersoftelevisionreceivers.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN
BF370R	文件：83.99 Kbytes Page：2 Pages	NPNSILICONPLANARTRANSISTOR NPNSILICONPLANARTRANSISTOR LowLevelAmplifierTransistor.	TEL TRANSYS Electronics Limited	TEL
BF370R	文件：106.72 Kbytes Page：3 Pages	NPNSILICONPLANARTRANSISTOR NPNSILICONPLANARTRANSISTOR LowLevelAmplifierTransistor.	CDIL CDIL	CDIL
BPC370-BW	文件：515.539 Kbytes Page：4 Pages	37BarTypePanelPC	DFIDFI Inc DFIDFI Inc	DFI

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晶体管资料

型号：
BD370B
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
低频或音频放大（LF）_TR_输出极（E）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
60V
最大电流允许值：
1.5A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
BD518,BD526,CA73-2C,
最大耗散功率：
2.5W
放大倍数：
图片代号：
A-31
vtest：
60
htest：
999900
atest：
1.5
wtest：
2.5

详细参数

型号：
BD370B
功能描述：
Medium Power Amplifiers and Switches

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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