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BUB323Z	文件：274.61 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconNPNDarlingtonPowerTransistor DESCRIPTION ·LowCollectorSaturationVoltage ·HighDCCurrentGain ·HighReliability ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·Audiopoweramplifiers ·Relay&solenoiddrivers ·Motorcontrols ·Generalpurposepoweramplifiers ·Inc	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
BUB323Z	文件：183.57 Kbytes Page：9 Pages	NPNSiliconPowerDarlingtonHighVoltageAutoprotectedD2PAKforSurfaceMount TheBUB323Zisaplanar,monolithic,high−voltagepower Darlingtonwithabuilt−inactivezenerclampingcircuit.Thisdeviceis specificallydesignedforunclamped,inductiveapplicationssuchas ElectronicIgnition,SwitchingRegulatorsandMotorControl. Features •IntegratedHigh−Voltage	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BUB323ZG	文件：90.57 Kbytes Page：8 Pages	NPNSiliconPowerDarlingtonHighVoltageAutoprotectedD2PAKforSurfaceMount	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BUB323ZG	文件：85.5 Kbytes Page：8 Pages	NPNSiliconPowerDarlington	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BUB323ZG	文件：183.57 Kbytes Page：9 Pages	NPNSiliconPowerDarlingtonHighVoltageAutoprotectedD2PAKforSurfaceMount TheBUB323Zisaplanar,monolithic,high−voltagepower Darlingtonwithabuilt−inactivezenerclampingcircuit.Thisdeviceis specificallydesignedforunclamped,inductiveapplicationssuchas ElectronicIgnition,SwitchingRegulatorsandMotorControl. Features •IntegratedHigh−Voltage	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BUZ323	文件：114.67 Kbytes Page：9 Pages	SIPMOSPowerTransistor SIPMOS®PowerTransistor •Nchannel •Enhancementmode •Avalanche-rated	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BUZ323	文件：228.46 Kbytes Page：9 Pages	SIPMOSPowerTransistor(NchannelEnhancementmodeAvalanche-rated) SIPMOS®PowerTransistor •Nchannel •Enhancementmode •Avalanche-rated	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BUZ323	文件：347.78 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=15A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=400V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.3Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
BVND-M323GT	文件：122.26 Kbytes Page：2 Pages	EinteiligeUniversalarmaturgerade,metrischOne-pieceUniversalConnectionstraight,metric	ABBabb ABB集团ABB（中国）有限公司	ABB
BYH323	文件：253.72 Kbytes Page：0 Pages		BychipBYCHIP ELECTRONICS CO., LIMITED 百域芯深圳市百域芯科技有限公司	Bychip

晶体管资料

型号：
BD323(A...C)
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-N+Darl
性质：
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
80V
最大电流允许值：
2A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
BD263A,BD679,2SC1888,2SD406,2SD614,2SD615,2SD688,
最大耗散功率：
10W
放大倍数：
图片代号：
C-40
vtest：
80
htest：
999900
atest：
2
wtest：
10

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多BD323(A...C)供应商更新时间2021-9-14 10:50:00

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