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BUB323ZG	文件：183.57 Kbytes Page：9 Pages	NPN Silicon Power Darlington High Voltage Autoprotected D2PAK for Surface Mount TheBUB323Zisaplanar,monolithic,high−voltagepower Darlingtonwithabuilt−inactivezenerclampingcircuit.Thisdeviceis specificallydesignedforunclamped,inductiveapplicationssuchas ElectronicIgnition,SwitchingRegulatorsandMotorControl. Features •IntegratedHigh−Voltage	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BUB323ZG	文件：90.57 Kbytes Page：8 Pages	NPN Silicon Power Darlington High Voltage Autoprotected D2PAK for Surface Mount	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BUB323ZG	文件：85.5 Kbytes Page：8 Pages	NPN Silicon Power Darlington	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BUB323ZG	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN DARL 350V 10A D2PAK	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BUZ323	文件：114.67 Kbytes Page：9 Pages	SIPMOSPowerTransistor SIPMOS®PowerTransistor •Nchannel •Enhancementmode •Avalanche-rated	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BUZ323	文件：228.46 Kbytes Page：9 Pages	SIPMOSPowerTransistor(NchannelEnhancementmodeAvalanche-rated) SIPMOS®PowerTransistor •Nchannel •Enhancementmode •Avalanche-rated	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BUZ323	文件：347.78 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=15A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=400V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.3Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
BVND-M323GT	文件：122.26 Kbytes Page：2 Pages	EinteiligeUniversalarmaturgerade,metrischOne-pieceUniversalConnectionstraight,metric	ABBabb ABB集团ABB（中国）有限公司	ABB
BYH323	文件：253.72 Kbytes Page：0 Pages		BychipBYCHIP ELECTRONICS CO., LIMITED 百域芯深圳市百域芯科技有限公司	Bychip
C323	文件：580.55 Kbytes Page：40 Pages	MILITARYSPECIFCATIONSONBACK	KEMETKEMET Corporation 基美基美公司	KEMET

产品属性

产品编号：
BUB323ZG
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
NPN - 达林顿
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1.7V @ 250mA，10A
电流 - 集电极截止（最大值）：
100µA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
500 @ 5A，4.6V
频率 - 跃迁：
2MHz
工作温度：
-65°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
供应商器件封装：
D²PAK
描述：
TRANS NPN DARL 350V 10A D2PAK

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市高捷芯城科技有限公司	BUB323ZG	onsemi(安森美)	24+	TO-263-3	942	原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务	询价
深圳市一线半导体有限公司	BUB323ZG	ON	24+	D2PAK3LEAD	8866		询价
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更多BUB323ZG供应商更新时间2025-7-16 22:59:00

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