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BUJ302AD	文件：541.27 Kbytes Page：14 Pages	NPN power transistor Generaldescription High-voltage,high-speedplanar-passivatedNPNpowerswitchingtransistorinaSOT428(DPAK)surfacemountedpackage. Featuresandbenefits ■Fastswitching ■Highvoltagecapability ■Lowthermalresistance ■Surface-mountablepackage Applications ■DC-to-DCconverters	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BUJ302AD	文件：297.62 Kbytes Page：13 Pages	NPN power transistor Generaldescription Highvoltage,highspeedplanarpassivatedNPNpowerswitchingtransistorinaSOT428(DPAK)surfacemountableplasticpackage. Featuresandbenefits •Fastswitching •Lowthermalresistance •Surfacemountablepackage •Veryhighvoltagecapability •Verylowswitching	WEENWeEn Semiconductors 瑞能半导体瑞能半导体科技股份有限公司	WEEN
BUJ302AD_15	文件：541.27 Kbytes Page：14 Pages	NPN power transistor	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BUJ302AD,118	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 400V 4A DPAK	WEENWeEn Semiconductors 瑞能半导体瑞能半导体科技股份有限公司	WEEN
BUJ302AX	文件：21.64 Kbytes Page：4 Pages	SiliconDiffusedPowerTransistor GENERALDESCRIPTION High-voltage,high-speedplanar-passivatednpnpowerswitchingtransistorinaplasticfull-packenvelopeintendedforuseinhighfrequencyelectroniclightingballastapplications,converters,inverters,switchingregulators,motorcontrolsystems,etc.	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BUJ302AX	文件：794.43 Kbytes Page：12 Pages	NPNpowertransistor Generaldescription Highvoltage,highspeedplanarpassivatedNPNpowerswitchingtransistorinaSOT186A(TO-220F)fullpackplasticpackage. Featuresandbenefits •Fastswitching •Isolatedpackage •Lowthermalresistance •Veryhighvoltagecapability •Verylowswitchingandconducti	WEENWeEn Semiconductors 瑞能半导体瑞能半导体科技股份有限公司	WEEN
BUP302	文件：419.1 Kbytes Page：7 Pages	IGBT(LowforwardvoltagedropHighswitchingspeedLowtailcurrentLatch-upfreeAvalancherated) •Lowforwardvoltagedrop •Highswitchingspeed •Lowtailcurrent •Latch-upfree •Avalancherated	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BV-A302RD	文件：132.15 Kbytes Page：1 Pages	FIVESIXDIGITLEDDISPLAYS	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
BV-C302RD	文件：132.15 Kbytes Page：1 Pages	FIVESIXDIGITLEDDISPLAYS	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
BV-M302RD	文件：132.15 Kbytes Page：1 Pages	FIVESIXDIGITLEDDISPLAYS	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC

详细参数

型号：
BUJ302AD
功能描述：
两极晶体管 - BJT NPN 400 V 4 A
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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