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BD245B | NPN SILICON POWER TRANSISTORS NPN SILICON POWER TRANSISTORS ● Designed for Complementary Use with the BD246 Series ● 80 W at 25°C Case Temperature ● 10 A Continuous Collector Current ● 15 A Peak Collector Current ● Customer-Specified Selections Available 文件：107.7 Kbytes 页数：5 Pages | BOURNS 伯恩斯 | BOURNS | |
BD245B | NPN SINGLE-DIFFUSED MESA SILICON POWER TRANSISTORS NPN SINGLE-DIFFUSED MESA SILICON POWER TRANSISTORS They are the power transistors for power amplifier and high-speed-switching applications. The complementary is BD246, A, B, C Compliance to RoHS 文件：75.06 Kbytes 页数：3 Pages | COMSET | COMSET | |
BD245B | isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION • Collector Current -IC= 10A • Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO = 45V(Min)- BD245; 60V(Min)- BD245A 80V(Min)- BD245B; 100V(Min)- BD245C • Complement to Type BD246/A/B/C APPLICATIONS • Designed for use in general purpose power a 文件：149.77 Kbytes 页数：3 Pages | ISC 无锡固电 | ISC | |
BD245B | NPN SILICON POWER TRANSISTORS NPN SILICON POWER TRANSISTORS ● Designed for Complementary Use with the BD246 Series ● 80 W at 25°C Case Temperature ● 10 A Continuous Collector Current ● 15 A Peak Collector Current ● Customer-Specified Selections Available 文件：91.13 Kbytes 页数：6 Pages | POINN | POINN | |
BD245B | Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION • With TO-3PN package • Complement to type BD246/A/B/C APPLICATIONS • For use in medium power linear and switching applications 文件：144.79 Kbytes 页数：3 Pages | SAVANTIC | SAVANTIC | |
BD245B | Silicon NPN Power Transistors 文件：146.39 Kbytes 页数：3 Pages | SAVANTIC | SAVANTIC | |
BD245B | Silicon NPN Power Transistor 文件：134.97 Kbytes 页数：2 Pages | NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司 | NJSEMI | |
BD245B | Transistor | Comset | Comset | |
TRANS NPN 80V 10A | Bourns 伯恩斯 | Bourns | ||
Package：TO-218-3；包装：管件 类别：分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 描述：TRANS NPN 80V 10A SOT93 | Bourns Inc. | Bourns Inc. |
晶体管资料
- 型号：
- 别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
- 生产厂家：
- 制作材料：
Si-NPN
- 性质：
低频或音频放大 （LF）_功率放大 （L）
- 封装形式：
直插封装
- 极限工作电压：
80V
- 最大电流允许值：
10A
- 最大工作频率：
<1MHZ或未知
- 引脚数：
3
- 可代换的型号：
BD249B,BD213/80,BD257/80,TIP33B,3DD68C,
- 最大耗散功率：
80W
- 放大倍数：
- 图片代号：
B-62
- vtest：
80
- htest：
999900
- atest：
10
- wtest：
80
详细参数
- 型号：
BD245B
- 功能描述：
两极晶体管 - BJT 80W NPN Silicon
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
- VCBO：
集电极—发射极最大电压
- VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
- VEBO：
- 6 V
- 增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
- Min：
100 A
- 安装风格：
SMD/SMT
- 封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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ST/意法 |
26+ |
TO-3P |
45000 |
ST/意法全新现货BD245B即刻询购立享优惠#长期有排单订 |
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15000 |
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PHI |
23+ |
TO-218 |
50 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 |
