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BD245B分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

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厂商型号

BD245B

参数属性

BD245B 封装/外壳为TO-218-3;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 80V 10A SOT93

功能描述

NPN SILICON POWER TRANSISTORS

封装外壳

TO-218-3

文件大小

91.13 Kbytes

页面数量

6

生产厂商

POINN

网址

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数据手册

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更新时间

2026-1-30 16:55:00

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晶体管资料

  • 型号:

    BD245B

  • 别名:

    BD245B三极管、BD245B晶体管、BD245B晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性质:

    低频或音频放大 (LF)_功率放大 (L)

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

    80V

  • 最大电流允许值:

    10A

  • 最大工作频率:

    <1MHZ或未知

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

    BD249B,BD213/80,BD257/80,TIP33B,3DD68C,

  • 最大耗散功率:

    80W

  • 放大倍数:

  • 图片代号:

    B-62

  • vtest:

    80

  • htest:

    999900

  • atest:

    10

  • wtest:

    80

BD245B规格书详情

NPN SILICON POWER TRANSISTORS

● Designed for Complementary Use with the

BD246 Series

● 80 W at 25°C Case Temperature

● 10 A Continuous Collector Current

● 15 A Peak Collector Current

● Customer-Specified Selections Available

产品属性

  • 产品编号:

    BD245B-S

  • 制造商:

    Bourns Inc.

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    管件

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    4V @ 2.5A,10A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    700µA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    20 @ 3A,4V

  • 工作温度:

    -65°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-218-3

  • 供应商器件封装:

    SOT-93

  • 描述:

    TRANS NPN 80V 10A SOT93

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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