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BD287	文件：114.99 Kbytes Page：2 Pages	PNP Silicon Planar Transistors 文件：114.99 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
BD287	文件：93.9 Kbytes Page：4 Pages	PNP SILICON PLANAR TRANSISTORS 文件：93.9 Kbytes 页数：4 Pages	SIEMENS 西门子	SIEMENS
BD287	文件：300 bytes Page：1 Pages	PNP SILICON PLANAR TRANSISTORS	Infineon 英飞凌	Infineon
CD287GC	文件：1.01046 Mbytes Page：5 Pages	EC Radial 105째C 4.000 - 10.000h Lifetime Low ESR at High Ripple Currents(Radial) 文件：1.01046 Mbytes 页数：5 Pages	JIANGHAI 江海电容	JIANGHAI
CL-287S	文件：86.04 Kbytes Page：1 Pages	Mono-Color Upward-Lighting Type 文件：86.04 Kbytes 页数：1 Pages	CITIZEN 西铁城电子株式会社	CITIZEN
CL-287S-WQ	文件：86.04 Kbytes Page：1 Pages	Mono-Color Upward-Lighting Type 文件：86.04 Kbytes 页数：1 Pages	CITIZEN 西铁城电子株式会社	CITIZEN

晶体管资料

型号：
BD287
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
开关管（S）_功率放大（L）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
30V
最大电流允许值：
12A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
最大耗散功率：
36W
放大倍数：
图片代号：
B-21
vtest：
30
htest：
999900
atest：
12
wtest：
36

详细参数

型号：
BD287
制造商：
INFINEON
制造商全称：
Infineon Technologies AG
功能描述：
PNP SILICON PLANAR TRANSISTORS

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