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BD313	文件：215.53 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·Excellent Safe Operating Area ·DC Current Gain-hFE= 25(Min.)@IC= 4A ·Collector-Emitter Saturation Voltage-: VCE(sat)= 1.0 V(Max)@ IC= 5A ·Complement to Type BD314 APPLICATIONS ·Designed for high quality amplifiers operating up to 文件：215.53 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
BD-E313RD	文件：195.31 Kbytes Page：2 Pages	DUAL DIGIT LED DISPLAYS 文件：195.31 Kbytes 页数：2 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
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BL-B313C	文件：203.01 Kbytes Page：2 Pages	BIGGER SIZE LED LAMPS (ROUND TYPES) BIGGER SIZE LED LAMPS (ROUND TYPES) 文件：203.01 Kbytes 页数：2 Pages	YSTONE 早安股份	YSTONE

晶体管资料

型号：
BD313
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
低频或音频放大（LF）_功率放大（L）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
80V
最大电流允许值：
10A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
2
可代换的型号：
BDW52B,3CK109C,
最大耗散功率：
150W
放大倍数：
图片代号：
E-44
vtest：
80
htest：
999900
atest：
10
wtest：
150

详细参数

型号：
BD313
制造商：
ISC
制造商全称：
Inchange Semiconductor Company Limited
功能描述：
isc Silicon NPN Power Transistor

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