选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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TO-3P |
68900 |
ATMEL |
原包原标签100%进口原装常备现货! |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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ATMELTO-3P |
562000 |
2320+ |
16年只做原装原标渠道现货终端BOM表可配单提供样品 |
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深圳市蓝山航业科技有限公司9年
留言
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ti |
500000 |
22+ |
行业低价,代理渠道 |
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深圳兆威电子有限公司5年
留言
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TOSTO-3P-3 |
55000 |
2019 |
原装正品现货假一赔十 |
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瀚佳科技(深圳)有限公司6年
留言
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N/A |
35200 |
21+ |
一级代理/放心采购 |
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无锡固电半导体股份有限公司4年
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iscTO-3PN |
3000 |
2024 |
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国产品牌isc,可替代原装 |
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千层芯半导体(深圳)有限公司6年
留言
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STTO-218 |
15000 |
17+ |
原装现货热卖 |
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深圳市宏世佳电子科技有限公司14年
留言
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TOSHIBATO-3P |
5425 |
2023+ |
全新原厂原装产品、公司现货销售 |
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深圳市特莱科技有限公司6年
留言
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TOSHIBA东芝TO-3P-3 |
6000 |
22+21+ |
16年电子元件现货供应商 终端BOM表可配单提供样品 |
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深圳市特顺芯科技有限公司15年
留言
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TO-3PN |
10000 |
全新 |
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深圳市科雨电子有限公司4年
留言
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TOSHIBA/东芝TO-3P-3 |
16 |
05+ |
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件! |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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TOSTO-3P-3 |
25000 |
22+ |
只做原装进口现货,专注配单 |
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深圳芯力源电子科技有限公司2年
留言
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N/A原厂封装 |
5177 |
23+ |
现货 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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TOSTO-3P-3 |
6000 |
22+ |
十年配单,只做原装 |
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深圳市利加科技有限公司7年
留言
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ONTO-3P |
10000 |
16+ |
全新原装现货 |
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深圳市永贝尔科技有限公司7年
留言
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BOURNSNA |
19960 |
23+ |
只做进口原装,终端工厂免费送样 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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TO-3P |
68900 |
TOS |
原包原标签100%进口原装常备现货! |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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TOSTO-3P |
562000 |
2320+ |
16年只做原装原标渠道现货终端BOM表可配单提供样品 |
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深圳市蓝山航业科技有限公司9年
留言
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bourns |
500000 |
22+ |
行业低价,代理渠道 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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ST/意法NA/ |
8936 |
23+ |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
BD246采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
BD246图片
BD246C中文资料Alldatasheet PDF
更多BD246功能描述:两极晶体管 - BJT 80W PNP Silicon RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BD246A功能描述:两极晶体管 - BJT 80W PNP Silicon RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BD246A-S功能描述:两极晶体管 - BJT 60V 10A PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BD246B功能描述:两极晶体管 - BJT 80W PNP Silicon RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BD246B-S功能描述:两极晶体管 - BJT 80V 10A PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BD246C功能描述:两极晶体管 - BJT 80W PNP Silicon RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BD246C-S功能描述:两极晶体管 - BJT 100V 10A PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BD246-S功能描述:两极晶体管 - BJT 45V 10A PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
晶体管资料
- 型号:
- 别名:
三极管、晶体管、晶体三极管
- 生产厂家:
- 制作材料:
Si-PNP
- 性质:
低频或音频放大 (LF)_功率放大 (L)
- 封装形式:
直插封装
- 极限工作电压:
45V
- 最大电流允许值:
10A
- 最大工作频率:
<1MHZ或未知
- 引脚数:
3
- 可代换的型号:
BD214/45,BD250,BD258/45,TIP34,3CD10B,
- 最大耗散功率:
80W
- 放大倍数:
- 图片代号:
B-62
- vtest:
45
- htest:
999900
- atest:
10
- wtest:
80