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BD244C	文件：78.21 Kbytes Page：8 Pages	COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTOR DESCRIPTION The BD243B and BD243C are silicon Epitaxial-Base NPN transistors mounted in Jedec TO-220 plastic package. They are inteded for use in medium power linear and switching applications. The complementary PNP types are BD244B and BD244C respectively. ■ STMicroelectronics PREFERRED SALES 文件：78.21 Kbytes 页数：8 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
BD244CG	文件：147.12 Kbytes Page：6 Pages	Complementary Silicon Plastic Power Transistors Complementary Silicon Plastic Power Transistors These devices are designed for use in general purpose amplifier and switching applications. Features • High Current Gain Bandwidth Product • These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant* 文件：147.12 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BD244A	文件：128.31 Kbytes Page：2 Pages	Silicon PNP Power Transistor 文件：128.31 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
BD244A	文件：91.77 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors 文件：91.77 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
BD244B	文件：91.77 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors 文件：91.77 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
BD244B	文件：128.31 Kbytes Page：2 Pages	Silicon PNP Power Transistor 文件：128.31 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
BD244B	文件：97.31 Kbytes Page：6 Pages	Complementary Silicon Plastic Power Transistors 文件：97.31 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BD244BG	文件：103.58 Kbytes Page：6 Pages	Complementary Silicon Plastic Power Transistors 文件：103.58 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BD244C	文件：43.8 Kbytes Page：4 Pages	Medium Power Linear and Switching Applications 文件：43.8 Kbytes 页数：4 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
BD244C	文件：97.31 Kbytes Page：6 Pages	Complementary Silicon Plastic Power Transistors 文件：97.31 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

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晶体管资料

型号：
BD244
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
低频或音频放大（LF）_功率放大（L）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
45V
最大电流允许值：
6A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
BD596,BD606,TIP42,3CD10B,
最大耗散功率：
65W
放大倍数：
图片代号：
B-10
vtest：
45
htest：
999900
atest：
6
wtest：
65

技术参数

Configuration：
Single
Material：
Si
Maximum Collector Base Voltage：
45V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage：
1.5@1A@6AV
Maximum Collector Emitter Voltage：
45V
Maximum DC Collector Current：
6A
Maximum Emitter Base Voltage：
5V
Maximum Operating Temperature：
150°C
Maximum Power Dissipation：
65000mW
Type：
PNP

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