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BD244C分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

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厂商型号

BD244C

参数属性

BD244C 封装/外壳为TO-220-3;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 100V 6A TO220

功能描述

COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTOR
TRANS PNP 100V 6A TO220

封装外壳

TO-220-3

文件大小

78.21 Kbytes

页面数量

8

生产厂商

STMICROELECTRONICS

中文名称

意法半导体

网址

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数据手册

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更新时间

2026-1-30 23:00:00

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晶体管资料

  • 型号:

    BD244C

  • 别名:

    BD244C三极管、BD244C晶体管、BD244C晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-PNP

  • 性质:

    低频或音频放大 (LF)_功率放大 (L)

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

    100V

  • 最大电流允许值:

    6A

  • 最大工作频率:

    <1MHZ或未知

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

    BD602,TIP42C,3CD10D,

  • 最大耗散功率:

    65W

  • 放大倍数:

  • 图片代号:

    B-10

  • vtest:

    100

  • htest:

    999900

  • atest:

    6

  • wtest:

    65

BD244C规格书详情

BD244C属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由意法半导体集团制造生产的BD244C晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

DESCRIPTION

The BD243B and BD243C are silicon Epitaxial-Base NPN transistors mounted in Jedec TO-220 plastic package.

They are inteded for use in medium power linear and switching applications.

The complementary PNP types are BD244B and BD244C respectively.

■ STMicroelectronics PREFERRED SALESTYPES

产品属性

更多
  • 产品编号:

    BD244C

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 晶体管类型:

    PNP

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    1.5V @ 1A,6A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    700µA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    15 @ 3A,4V

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3

  • 供应商器件封装:

    TO-220

  • 描述:

    TRANS PNP 100V 6A TO220

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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