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BD159	文件：38.52 Kbytes Page：4 Pages	Low Power Fast Switching Output Stages Low Power Fast Switching Output Stages • For T.V Radio Audio Output Amplifiers 文件：38.52 Kbytes 页数：4 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
BD159	文件：74.97 Kbytes Page：4 Pages	POWER TRANSISTOR NPN SILICON Plastic Medium Power NPN Silicon Transistor This device is designed for power output stages for television, radio, phonograph and other consumer product applications. Features • Suitable for Transformerless, Line−Operated Equipment • Thermopad Construction Provides High Power Dissipation Ratin 文件：74.97 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BD159	文件：100.94 Kbytes Page：4 Pages	Plastic Medium Power NPN Silicon Transistor Plastic Medium Power NPN Silicon Transistor . . . designed for power output stages for television, radio, phonograph and other consumer product applications. • Suitable for Transformerless, Line–Operated Equipment • Thermopad Construction Provides High Power Dissipation Rating for Hig 文件：100.94 Kbytes 页数：4 Pages	MOTOROLA 摩托罗拉	MOTOROLA
BD159	文件：238.62 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·Collector–Emitter Sustaining Voltage- : VCEO(SUS) = 350V(Min) ·DC Current Gain- : hFE = 30~240(Min) @ IC= 50mA APPLICATIONS ·Designed for power output stages for television, radio, phonograph and other consumer product applications. 文件：238.62 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
BD159	文件：61.88 Kbytes Page：3 Pages	Plastic Medium Power NPN Silicon Transistor 文件：61.88 Kbytes 页数：3 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BD159	文件：300 bytes Page：1 Pages	0.5 A，350 V，NPN 双极功率晶体管 This device is designed for power output stages for television, radio, phonograph and other consumer product applications. • Suitable for Transformerless, Line-Operated Equipment\n• High Power Dissipation Rating for High Reliability\n• Pb-Free Package is Available;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BD159	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-225AA，TO-126-3；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 350V 0.5A TO126	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BD159G	文件：72.56 Kbytes Page：3 Pages	Plastic Medium-PowerSilicon NPN Transistor Plastic Medium Power NPN Silicon Transistor This device is designed for power output stages for television, radio, phonograph and other consumer product applications. Features • Suitable for Transformerless, Line−Operated Equipment • Thermopad Construction Provides High Power Dissipation Ratin 文件：72.56 Kbytes 页数：3 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BD159_06	文件：61.88 Kbytes Page：3 Pages	Plastic Medium Power NPN Silicon Transistor 文件：61.88 Kbytes 页数：3 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BD159STU	文件：44 Kbytes Page：4 Pages	For T.V Radio Audio Output Amplifiers 文件：44 Kbytes 页数：4 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD

晶体管资料

型号：
BD159
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
低频或音频放大（LF）_功率放大（L）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
350V
最大电流允许值：
0.5A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
BD129,BD232,BD410,3DD30D,
最大耗散功率：
20W
放大倍数：
图片代号：
B-21
vtest：
350
htest：
999900
atest：
0.5
wtest：
20

产品属性

产品编号：
BD159
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）
晶体管类型：
NPN
电流 - 集电极截止（最大值）：
100µA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
30 @ 50mA，10V
工作温度：
-65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-225AA，TO-126-3
供应商器件封装：
TO-126
描述：
TRANS NPN 350V 0.5A TO126

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