BD159分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
BD159 |
| 参数属性 | BD159 封装/外壳为TO-225AA，TO-126-3；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS NPN 350V 0.5A TO126 |
| 功能描述 | POWER TRANSISTOR NPN SILICON |
| 封装外壳 | TO-225AA，TO-126-3 |
| 文件大小 |
74.97 Kbytes |
| 页面数量 |
4 页 |
| 生产厂商 | ONSEMI |
| 中文名称 | 安森美半导体 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2026-4-18 20:00:00 |
| 人工找货 | BD159价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
晶体管资料
- 型号：
- 别名：
BD159三极管、BD159晶体管、BD159晶体三极管
- 生产厂家：
- 制作材料：
Si-NPN
- 性质：
低频或音频放大 （LF）_功率放大 （L）
- 封装形式：
直插封装
- 极限工作电压：
350V
- 最大电流允许值：
0.5A
- 最大工作频率：
<1MHZ或未知
- 引脚数：
3
- 可代换的型号：
BD129,BD232,BD410,3DD30D,
- 最大耗散功率：
20W
- 放大倍数：
- 图片代号：
B-21
- vtest：
350
- htest：
999900
- atest：
0.5
- wtest：
20
BD159规格书详情
BD159属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由安森美半导体制造生产的BD159晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。
Plastic Medium Power NPN Silicon Transistor
This device is designed for power output stages for television, radio, phonograph and other consumer product applications.
特性 Features
• Suitable for Transformerless, Line−Operated Equipment
• Thermopad Construction Provides High Power Dissipation Rating
for High Reliability
• Pb−Free Package is Available*
产品属性
更多- 产品编号：
BD159
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
卷带（TR）
- 晶体管类型：
NPN
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
100µA（ICBO）
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
30 @ 50mA，10V
- 工作温度：
-65°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-225AA，TO-126-3
- 供应商器件封装：
TO-126
- 描述：
TRANS NPN 350V 0.5A TO126
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
onsemi |
25+ |
TO-126 |
18798 |
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询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
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TO-126-3 |
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NA |
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