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BD159中文资料0.5 A,350 V,NPN 双极功率晶体管数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

BD159

参数属性

BD159 封装/外壳为TO-225AA,TO-126-3;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 350V 0.5A TO126

功能描述

0.5 A,350 V,NPN 双极功率晶体管
TRANS NPN 350V 0.5A TO126

封装外壳

TO-225AA,TO-126-3

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-23 22:59:00

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BD159规格书详情

描述 Description

This device is designed for power output stages for television, radio, phonograph and other consumer product applications.

特性 Features

• Suitable for Transformerless, Line-Operated Equipment
• High Power Dissipation Rating for High Reliability
• Pb-Free Package is Available

简介

BD159属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的BD159晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :BD159

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Polarity

    :NPN

  • Type

    :General Purpose

  • VCE(sat) Max (V)

    :-

  • IC Cont. (A)

    :0.5

  • VCEO Min (V)

    :350

  • VCBO (V)

    :375

  • VEBO (V)

    :5

  • VBE(sat) (V)

    :-

  • VBE(on) (V)

    :-

  • hFE Min

    :30

  • hFE Max

    :240

  • fT Min (MHz)

    :-

  • PTM Max (W)

    :20

  • Package Type

    :TO-225-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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