BD13910数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF

厂商型号 |
BD13910 |
参数属性 | BD13910 封装/外壳为TO-225AA,TO-126-3;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 80V 1.5A TO126-3 |
功能描述 | 1.5 A, 80 V NPN Power Bipolar Junction Transistor |
封装外壳 | TO-225AA,TO-126-3 |
制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
中文名称 | 安森美半导体 安森美半导体公司 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-9 16:30:00 |
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BD13910规格书详情
描述 Description
This series of plastic, NPN Power Bipolar Junction Transistors are designed for use as audio amplifiers and drivers utilizing complementary or quasi complementary circuits.
特性 Features
• Mininum Current Gain - hFE = 63 @ IC = 150 mA
• Low current base drive
• BD135, BD137, BD139 are complementary with BD136, BD138, BD140
• These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant
应用 Application
• Audio amplification
• Audio amplifiers
简介
BD13910属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的BD13910晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 制造商编号
:BD13910
- 生产厂家
:ONSEMI
- Pb-free
:Pb
- Status
:Active
- Polarity
:NPN
- Type
:General Purpose
- VCE(sat) Max (V)
:0.5
- IC Cont. (A)
:1.5
- VCEO Min (V)
:80
- VCBO (V)
:80
- VEBO (V)
:5
- VBE(sat) (V)
:-
- VBE(on) (V)
:1
- hFE Min
:63
- hFE Max
:160
- fT Min (MHz)
:-
- PTM Max (W)
:12.5
- Package Type
:TO-126-3
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
FAI |
24+ |
7500 |
询价 | ||||
ONSEMI |
22 |
SOP12 |
14000 |
全新、原装 |
询价 | ||
FAIRCHILD |
1844+ |
TO126 |
9852 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
询价 | ||
FAIRCHILDONSEMICONDUCTOR |
23+ |
NA |
12730 |
原装正品代理渠道价格优势 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
23+ |
TO-126 |
32000 |
原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详 |
询价 | ||
ON/安森美 |
22+ |
SMD |
14100 |
原装正品 |
询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
SAMSUNG |
23+ |
原厂正规渠道 |
5000 |
专注配单,只做原装进口现货 |
询价 | ||
SAMSUNG |
23+ |
原厂正规渠道 |
5000 |
专注配单,只做原装进口现货 |
询价 | ||
ON Semiconductor |
2022+ |
原厂原包装 |
8600 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 |