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BD139-TU	文件：1.68264 Mbytes Page：4 Pages	丝印：BD139；Package：TO-126；TO-126 Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES High Current Complement To BD136, BD138 And BD140 文件：1.68264 Mbytes 页数：4 Pages	DGNJDZ 南晶电子	DGNJDZ
BD139AG-XX-T60-K	文件：199.89 Kbytes Page：3 Pages	丝印：BD139A；Package：TO-126；NPN POWER TRANSISTORS  FEATURES High current (max.1.5A) Low voltage (max.80V) 文件：199.89 Kbytes 页数：3 Pages	UTC 友顺	UTC
BD139AL-XX-T60-K	文件：199.89 Kbytes Page：3 Pages	丝印：BD139A；Package：TO-126；NPN POWER TRANSISTORS  FEATURES High current (max.1.5A) Low voltage (max.80V) 文件：199.89 Kbytes 页数：3 Pages	UTC 友顺	UTC
BD139	文件：300 bytes Page：1 Pages	NPN硅晶体管 These epitaxial planar transistors are mounted in the SOT-32 plastic package. They are designed for audio amplifiers and drivers utilizing complementary or quasi-complementary circuits.\n\n The NPN types are the BD135 and BD139, and the complementary PNP types are the BD136 and BD140. • Products are pre-selected in DC current gain;	ST 意法半导体	ST
BD139	文件：300 bytes Page：1 Pages	Bipolar Transistor	UTC 友顺	UTC
BD139	文件：300 bytes Page：1 Pages	晶体管	JSCJ 长晶科技	JSCJ

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晶体管资料

型号：
BD139(-6...-10)
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
低频或音频放大（LF）_功率放大（L）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
80V
最大电流允许值：
1.5A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
BD169,BD179,BD230,BD237,BD441,3DA1C,
最大耗散功率：
12.5W
放大倍数：
图片代号：
B-21
vtest：
80
htest：
999900
atest：
1.5
wtest：
12.5

产品属性

产品编号：
BD139
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
500mV @ 50mA，500mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
40 @ 150mA，2V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-225AA，TO-126-3
供应商器件封装：
TO-126
描述：
TRANS NPN 80V 1.5A TO126

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