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BD13910STU	文件：142.43 Kbytes Page：5 Pages	NPN Epitaxial Silicon Transistor Features • Complement to BD136, BD138 and BD140 respectively Applications • Medium Power Linear and Switching 文件：142.43 Kbytes 页数：5 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
BD139-16	文件：44.25 Kbytes Page：8 Pages	NPN power transistors DESCRIPTION NPN power transistor in a TO-126; SOT32 plastic package. PNP complements: BD136, BD138 and BD140 FEATURES • High current (max. 1.5 A) • Low voltage (max. 80 V). APPLICATIONS • Driver stages in hi-fi amplifiers and television circuits. 文件：44.25 Kbytes 页数：8 Pages	PHI 飞利浦	PHI
BD139-16	文件：390.76 Kbytes Page：3 Pages	Power Transistors NPN Silicon 45,60,80 Volts Features • Halogen free available upon request by adding suffix -HF • Lead Free Finish/RoHS Compliant (Note1) (P Suffix designates RoHS Compliant. See ordering information) • Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating • Moisure Sensitivity Level 1 • DC Current Gain - hFE = 40 (Min) @IC = 文件：390.76 Kbytes 页数：3 Pages	MCC	MCC
BD139-16	文件：1.03463 Mbytes Page：5 Pages	Single Bipolar Transistor Features • This product is available in AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable also. Applications • Driver stages in hi-fi amplifier and television circuit. Discription Designed for use as Audio Amplifier and Drivers Utilizing 文件：1.03463 Mbytes 页数：5 Pages	MULTICOMP 易络盟	MULTICOMP
BD139-16	文件：85.87 Kbytes Page：2 Pages	NPN Plastic Encapsulated Transistor FEATURES • High current • Complement to BD136, BD138 and BD140 文件：85.87 Kbytes 页数：2 Pages	SECOS 喜可士	SECOS
BD139-16	文件：185.8 Kbytes Page：2 Pages	NPN Plastic Encapsulated Transistor FEATURES High current Complement to BD136, BD138 and BD140 文件：185.8 Kbytes 页数：2 Pages	SY 顺烨电子	SY
BD139-16	文件：158.04 Kbytes Page：9 Pages	Complementary low voltage transistor Description These epitaxial planar transistors are mounted in the SOT-32 plastic package. They are designed for audio amplifiers and drivers utilizing complementary or quasi-complementary circuits. The NPN types are the BD135 and BD139, and the complementary PNP types are the BD136 and BD140. Fe 文件：158.04 Kbytes 页数：9 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
BD139-16	文件：148.83 Kbytes Page：9 Pages	Complementary low voltage transistor Features ■ Products are pre-selected in DC current gain Application ■ General purpose Description These epitaxial planar transistors are mounted in the SOT-32 plastic package. They are designed for audio amplifiers and drivers utilizing complementary or quasi-complementary circuits. 文件：148.83 Kbytes 页数：9 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
BD13916S	文件：142.43 Kbytes Page：5 Pages	NPN Epitaxial Silicon Transistor Features • Complement to BD136, BD138 and BD140 respectively Applications • Medium Power Linear and Switching 文件：142.43 Kbytes 页数：5 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
BD13916STU	文件：142.43 Kbytes Page：5 Pages	NPN Epitaxial Silicon Transistor Features • Complement to BD136, BD138 and BD140 respectively Applications • Medium Power Linear and Switching 文件：142.43 Kbytes 页数：5 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild

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晶体管资料

型号：
BD139(-6...-10)
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
低频或音频放大（LF）_功率放大（L）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
80V
最大电流允许值：
1.5A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
BD169,BD179,BD230,BD237,BD441,3DA1C,
最大耗散功率：
12.5W
放大倍数：
图片代号：
B-21
vtest：
80
htest：
999900
atest：
1.5
wtest：
12.5

产品属性

产品编号：
BD139
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
500mV @ 50mA，500mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
40 @ 150mA，2V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-225AA，TO-126-3
供应商器件封装：
TO-126
描述：
TRANS NPN 80V 1.5A TO126

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