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BD138	文件：41.75 Kbytes Page：4 Pages	Medium Power Linear and Switching Applications Features • Complement to BD135, BD137 and BD139 respectively Applications • Medium Power Linear and Switching 文件：41.75 Kbytes 页数：4 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
BD138	文件：47.23 Kbytes Page：4 Pages	Medium Power Linear and Switching Applications Features • Complement to BD135, BD137 and BD139 respectively Applications Medium Power Linear and Switching Applications 文件：47.23 Kbytes 页数：4 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
BD138	文件：47.23 Kbytes Page：4 Pages	PNP Epitaxial Silicon Transistor Features • Complement to BD135, BD137 and BD139 respectively Applications • Medium Power Linear and Switching 文件：47.23 Kbytes 页数：4 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
BD138	文件：47.23 Kbytes Page：4 Pages	Medium Power Linear and Switching Applications Features • Complement to BD135, BD137 and BD139 respectively Applications • Medium Power Linear and Switching 文件：47.23 Kbytes 页数：4 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
BD138	文件：47.23 Kbytes Page：4 Pages	Medium Power Linear and Switching Applications Features • Complement to BD135, BD137 and BD139 respectively Applications • Medium Power Linear and Switching 文件：47.23 Kbytes 页数：4 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
BD138	文件：42.46 Kbytes Page：4 Pages	Plastic Medium Power Silicon PNP Transistor Plastic Medium Power Silicon PNP Transistor This series of plastic, medium−power silicon PNP transistors are designed for use as audio amplifiers and drivers utilizing complementary or quasi complementary circuits. Features • Pb−Free Packages are Available* • DC Current Gain − hFE = 40 (Min) @ 文件：42.46 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BD138	文件：44.4 Kbytes Page：8 Pages	PNP power transistors DESCRIPTION PNP power transistor in a TO-126; SOT32 plastic package. NPN complements: BD135, BD137 and BD139. FEATURES • High current (max. 1.5 A) • Low voltage (max. 80 V). APPLICATIONS • General purpose power applications, e.g. driver stages in hi-fi amplifiers and televisi 文件：44.4 Kbytes 页数：8 Pages	PHI PHI	PHI
BD138	文件：88.13 Kbytes Page：2 Pages	PNP SILICON TRANSISTOR DESCRIPTION The UTC BD136/BD138/BD140 are silicon epitaxial planer PNP transistor, designed for use as audio amplifiers and drivers utilizing complementary or quasi complementary circuits. The complementary NPN types are the BD135/BD137/ BD139. 文件：88.13 Kbytes 页数：2 Pages	UTC 友顺	UTC
BD138	文件：111.28 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-126 package ·High current ·Complement to type BD135/137/139 APPLICATIONS ·Driver stages in high-fidelity amplifiers and television circuits 文件：111.28 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
BD138	文件：85.15 Kbytes Page：2 Pages	PNP General Purpose Transistor FEATURES • High Current 文件：85.15 Kbytes 页数：2 Pages	SECOS 喜可士	SECOS

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晶体管资料

型号：
BD138(-6...-10)
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
低频或音频放大（LF）_功率放大（L）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
60V
最大电流允许值：
1.5A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
BD168,BD178,BD229,BD236,BD440,3CA4C,
最大耗散功率：
12.5W
放大倍数：
图片代号：
B-21
vtest：
60
htest：
999900
atest：
1.5
wtest：
12.5

产品属性

产品编号：
BD138
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
500mV @ 50mA，500mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
40 @ 150mA，2V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-225AA，TO-126-3
供应商器件封装：
TO-126
描述：
TRANS PNP 60V 1.5A TO126

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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