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BD137-16	文件：1.03463 Mbytes Page：5 Pages	Single Bipolar Transistor Features • This product is available in AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable also. Applications • Driver stages in hi-fi amplifier and television circuit. Discription Designed for use as Audio Amplifier and Drivers Utilizing 文件：1.03463 Mbytes 页数：5 Pages	MULTICOMP 易络盟	MULTICOMP
BD137-16	文件：85.87 Kbytes Page：2 Pages	NPN Plastic Encapsulated Transistor FEATURES • High current • Complement to BD136, BD138 and BD140 文件：85.87 Kbytes 页数：2 Pages	SECOS 喜可士	SECOS
BD137-16	文件：185.8 Kbytes Page：2 Pages	NPN Plastic Encapsulated Transistor FEATURES High current Complement to BD136, BD138 and BD140 文件：185.8 Kbytes 页数：2 Pages	SY 顺烨电子	SY
BD13716S	文件：142.43 Kbytes Page：5 Pages	NPN Epitaxial Silicon Transistor Features • Complement to BD136, BD138 and BD140 respectively Applications • Medium Power Linear and Switching 文件：142.43 Kbytes 页数：5 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
BD13716STU	文件：142.43 Kbytes Page：5 Pages	NPN Epitaxial Silicon Transistor Features • Complement to BD136, BD138 and BD140 respectively Applications • Medium Power Linear and Switching 文件：142.43 Kbytes 页数：5 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
BD137-6	文件：390.76 Kbytes Page：3 Pages	Power Transistors NPN Silicon 45,60,80 Volts Features • Halogen free available upon request by adding suffix -HF • Lead Free Finish/RoHS Compliant (Note1) (P Suffix designates RoHS Compliant. See ordering information) • Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating • Moisure Sensitivity Level 1 • DC Current Gain - hFE = 40 (Min) @IC = 文件：390.76 Kbytes 页数：3 Pages	MCC	MCC
BD137-6	文件：185.89 Kbytes Page：5 Pages	NPN SILICON TRANSISTORS NPN Silicon Transistors For AF driver and output stages of medium performance 文件：185.89 Kbytes 页数：5 Pages	SIEMENS 西门子	SIEMENS
BD137-6	文件：85.87 Kbytes Page：2 Pages	NPN Plastic Encapsulated Transistor FEATURES • High current • Complement to BD136, BD138 and BD140 文件：85.87 Kbytes 页数：2 Pages	SECOS 喜可士	SECOS
BD137-6	文件：185.8 Kbytes Page：2 Pages	NPN Plastic Encapsulated Transistor FEATURES High current Complement to BD136, BD138 and BD140 文件：185.8 Kbytes 页数：2 Pages	SY 顺烨电子	SY
BD137G	文件：42.47 Kbytes Page：4 Pages	Plastic Medium Power Silicon NPN Transistor Plastic Medium Power Silicon NPN Transistor This series of plastic, medium−power silicon NPN transistors are designed for use as audio amplifiers and drivers utilizing complementary or quasi complementary circuits. Features • Pb−Free Packages are Available • DC Current Gain − hFE = 40 (Min) @ 文件：42.47 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

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晶体管资料

型号：
BD137(-6...-16)
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
低频或音频放大（LF）_功率放大（L）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
60V
最大电流允许值：
1.5A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
BD167,BC177,BD228,BD235,BC439,3DA1C,
最大耗散功率：
12.5W
放大倍数：
图片代号：
B-21
vtest：
60
htest：
999900
atest：
1.5
wtest：
12.5

产品属性

产品编号：
BD137
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
500mV @ 50mA，500mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
40 @ 150mA，2V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-225AA，TO-126-3
供应商器件封装：
TO-126
描述：
TRANS NPN 60V 1.5A TO126

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