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BD137	文件：1.03463 Mbytes Page：5 Pages	Single Bipolar Transistor Features • This product is available in AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable also. Applications • Driver stages in hi-fi amplifier and television circuit. Discription Designed for use as Audio Amplifier and Drivers Utilizing 文件：1.03463 Mbytes 页数：5 Pages	MULTICOMP 易络盟	MULTICOMP
BD137	文件：73.91 Kbytes Page：3 Pages	SILICON PLANAR EPITAXIAL POWER TRANSISTORS SILICON PLANAR EPITAXIAL POWER TRANSISTORS. The BD136-BD138-BD140 are PNP Transistors They are recommended for driver stages in hi-fi amplifiers and television circuits. They are mounted in Jedec TO-126 plastic package. NPN complements are BD135-BD137-BD139. Compliance to RoHS. 文件：73.91 Kbytes 页数：3 Pages	COMSET	COMSET
BD137	文件：131.19 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION • With TO-126 package • High current • Complement to type BD136/138/140 APPLICATIONS • Driver stages in high-fidelity amplifiers and television circuits 文件：131.19 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
BD137	文件：1.11352 Mbytes Page：4 Pages	TO-126 Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR (NPN) FEATURES ● High Current ● Complement To BD136, BD138 And BD140 文件：1.11352 Mbytes 页数：4 Pages	JIANGSU 长电科技	JIANGSU
BD137	文件：1.10211 Mbytes Page：4 Pages	TO-126 Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR (NPN) FEATURES ● High Current ● Complement To BD136, BD138 And BD140 文件：1.10211 Mbytes 页数：4 Pages	JIANGSU 长电科技	JIANGSU
BD137	文件：110.21 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION • With TO-126 package • High current • Complement to type BD136/138/140 APPLICATIONS • Driver stages in high-fidelity amplifiers and television circuits 文件：110.21 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
BD137	文件：185.89 Kbytes Page：5 Pages	NPN SILICON TRANSISTORS NPN Silicon Transistors For AF driver and output stages of medium performance 文件：185.89 Kbytes 页数：5 Pages	SIEMENS 西门子	SIEMENS
BD137	文件：185.8 Kbytes Page：2 Pages	NPN Plastic Encapsulated Transistor FEATURES High current Complement to BD136, BD138 and BD140 文件：185.8 Kbytes 页数：2 Pages	SY 顺烨电子	SY
BD137	文件：360.44 Kbytes Page：2 Pages	High Current TRANSISTOR (NPN) FEATURES • High Current(1.5A) • Low Voltage(80V) 文件：360.44 Kbytes 页数：2 Pages	DGNJDZ 南晶电子	DGNJDZ
BD137	文件：126.45 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR (NPN) FEATURES Power dissipation PCM: 1.25 W (Tamb=25℃) Collector current ICM: 1.5 A Operating and storage junction temperature range TJ, Tstg: -55℃ to +150℃ 文件：126.45 Kbytes 页数：1 Pages	WINNERJOIN 永而佳	WINNERJOIN

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晶体管资料

型号：
BD137(-6...-16)
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
低频或音频放大（LF）_功率放大（L）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
60V
最大电流允许值：
1.5A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
BD167,BC177,BD228,BD235,BC439,3DA1C,
最大耗散功率：
12.5W
放大倍数：
图片代号：
B-21
vtest：
60
htest：
999900
atest：
1.5
wtest：
12.5

产品属性

产品编号：
BD137
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
500mV @ 50mA，500mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
40 @ 150mA，2V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-225AA，TO-126-3
供应商器件封装：
TO-126
描述：
TRANS NPN 60V 1.5A TO126

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