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BD137	文件：1.68264 Mbytes Page：4 Pages	丝印：BD137；Package：TO-126；TO-126 Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES High Current Complement To BD136, BD138 And BD140 文件：1.68264 Mbytes 页数：4 Pages	DGNJDZ 南晶电子	DGNJDZ
BD137	文件：360.44 Kbytes Page：2 Pages	High Current TRANSISTOR (NPN) FEATURES • High Current(1.5A) • Low Voltage(80V) 文件：360.44 Kbytes 页数：2 Pages	DGNJDZ 南晶电子	DGNJDZ
BD137	文件：126.45 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR (NPN) FEATURES Power dissipation PCM: 1.25 W (Tamb=25℃) Collector current ICM: 1.5 A Operating and storage junction temperature range TJ, Tstg: -55℃ to +150℃ 文件：126.45 Kbytes 页数：1 Pages	WINNERJOIN 永而佳	WINNERJOIN
BD137	文件：235.81 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR (NPN) TRANSISTOR (NPN) FEATURES ◾ High Current(1.5A) ◾ Low Voltage(80V) 文件：235.81 Kbytes 页数：2 Pages	KOOCHIN 灏展电子	KOOCHIN
BD137	文件：369.65 Kbytes Page：4 Pages	TRANSISTOR (NPN) TRANSISTOR (NPN) FEATURES ● High Current 文件：369.65 Kbytes 页数：4 Pages	FS	FS
BD137	文件：185.89 Kbytes Page：5 Pages	NPN SILICON TRANSISTORS NPN Silicon Transistors For AF driver and output stages of medium performance 文件：185.89 Kbytes 页数：5 Pages	SIEMENS 西门子	SIEMENS
BD137	文件：185.8 Kbytes Page：2 Pages	NPN Plastic Encapsulated Transistor FEATURES High current Complement to BD136, BD138 and BD140 文件：185.8 Kbytes 页数：2 Pages	SY 顺烨电子	SY
BD137	文件：41.31 Kbytes Page：4 Pages	Medium Power Linear and Switching Applications Features • Complement to BD136, BD138 and BD140 respectively Applications • Medium Power Linear and Switching 文件：41.31 Kbytes 页数：4 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
BD137	文件：42.47 Kbytes Page：4 Pages	Plastic Medium Power Silicon NPN Transistor Plastic Medium Power Silicon NPN Transistor This series of plastic, medium−power silicon NPN transistors are designed for use as audio amplifiers and drivers utilizing complementary or quasi complementary circuits. Features • Pb−Free Packages are Available • DC Current Gain − hFE = 40 (Min) @ 文件：42.47 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BD137	文件：44.25 Kbytes Page：8 Pages	NPN power transistors DESCRIPTION NPN power transistor in a TO-126; SOT32 plastic package. PNP complements: BD136, BD138 and BD140 FEATURES • High current (max. 1.5 A) • Low voltage (max. 80 V). APPLICATIONS • Driver stages in hi-fi amplifiers and television circuits. 文件：44.25 Kbytes 页数：8 Pages	PHI 飞利浦	PHI

晶体管资料

型号：
BD137(-6...-16)
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
低频或音频放大（LF）_功率放大（L）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
60V
最大电流允许值：
1.5A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
BD167,BC177,BD228,BD235,BC439,3DA1C,
最大耗散功率：
12.5W
放大倍数：
图片代号：
B-21
vtest：
60
htest：
999900
atest：
1.5
wtest：
12.5

产品属性

产品编号：
BD137
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
500mV @ 50mA，500mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
40 @ 150mA，2V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-225AA，TO-126-3
供应商器件封装：
TO-126
描述：
TRANS NPN 60V 1.5A TO126

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