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BCX5616QTC

丝印:BL;Package:SOT89;80V NPN MEDIUM POWER TRANSISTORS IN SOT89

Features BVCEO > 80V Ic = 1A High Continuous Collector Current ICM = 2.0A Peak Pulse Current Low Saturation Voltage VCE(sat)

文件:426.26 Kbytes 页数:7 Pages

DIODES

美台半导体

BCX5616QTC

Package:TO-243AA;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:PWR MID PERF TRANSISTOR SOT89 T\u0026

DIODES

美台半导体

BCX5616TA

NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS IN SOT89

Features • BVCEO > 45V, 60V & 80V • Ic = 1A Continuous Collector Current • ICM = 2A Peak Pulse Current • Low Saturation Voltage VCE(sat)

文件:146.44 Kbytes 页数:7 Pages

DIODES

美台半导体

CPH5616

N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device

Features • Low ON-resistance. • Ultrahigh-speed switching. • 4V drive. • Composite type with 2 MOSFETs contained in a single package, facilitaing-density mounting.

文件:56.72 Kbytes 页数:4 Pages

SANYO

三洋

DXT5616U

80V NPN MEDIUM POWER TRANSISTOR IN TO126

Features BVCEO > 80V IC = 1A Continuous Collector Current ICM = 2A Peak Pulse Current Low Saturation Voltage VCE(sat)

文件:508.76 Kbytes 页数:7 Pages

DIODES

美台半导体

产品属性

  • 产品编号:

    BCX5616QTC

  • 制造商:

    Diodes Incorporated

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 系列:

    Automotive, AEC-Q101

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    500mV @ 50mA,500mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    100 @ 150mA,2V

  • 频率 - 跃迁:

    150MHz

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-243AA

  • 供应商器件封装:

    SOT-89-3

  • 描述:

    PWR MID PERF TRANSISTOR SOT89 T\u0026

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
DIODES/美台
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更多BCX5616QTC供应商 更新时间2026-2-1 16:01:00