BCX5616TA规格书原装现货达尔科技DIODES-114ic电子网

首页 >BCX5616TA>规格书列表

零件编号	下载&订购	功能描述	制造商&上传企业
BCX5616TA	文件：146.44 Kbytes Page：7 Pages	NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS IN SOT89 Features •BVCEO>45V,60V&80V •Ic=1AContinuousCollectorCurrent •ICM=2APeakPulseCurrent •LowSaturationVoltageVCE(sat)	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技
BCX5616TA	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：剪切带（CT）带盒（TB）封装/外壳：TO-243AA 类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 80V 1A SOT89-3	PAMDiodes Incorporated 龙鼎威
5616	文件：87.16 Kbytes Page：6 Pages	2-FUNCTION,4-DIGITLCDAUTOMOTIVECLOCK-PROGRAMMABLE FEATURES ■DigitalTuningofCrystalFrequency ■PROMforStoringFrequencyCorrectionInformation ■12or24HourTimekeepingOption ■FlashingColon ■TwoSwitchesControlAllSettingFunctions ■HighNoiseImmunity ■InternalPower-UpResetCircuitry ■InternalVoltageRegulation	Allegro Allegro MicroSystems
5616-RC	文件：428.21 Kbytes Page：1 Pages	HighCurrentChokes	BournsBourns Inc. 伯恩斯（邦士）
ALC5616	文件：1.55994 Mbytes Page：104 Pages	Ultra-LowPowerAudioCODECforMobileDevices	REALTEKRealtek Semiconductor Corp 瑞昱瑞昱半导体公司
ALC5616-CG	文件：1.55994 Mbytes Page：104 Pages	Ultra-LowPowerAudioCODECforMobileDevices	REALTEKRealtek Semiconductor Corp 瑞昱瑞昱半导体公司
ALC5616-CGT	文件：1.55994 Mbytes Page：104 Pages	Ultra-LowPowerAudioCODECforMobileDevices	REALTEKRealtek Semiconductor Corp 瑞昱瑞昱半导体公司
AOZ5616QI	文件：2.28076 Mbytes Page：17 Pages	High-Current,High-PerformanceDrMOSPowerModule GeneralDescription TheAOZ5616QIisahighefficiencysynchronousbuck powerstagemoduleconsistingoftwoasymmetrical MOSFETsandanintegrateddriver.TheMOSFETsare individuallyoptimizedforoperationinthesynchronous buckconfiguration.TheHigh-SideMOSFETisoptimized toachieve	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体
BCP5616	文件：150.69 Kbytes Page：9 Pages	LowpowerNPNTransistor SMALLSIGNALNPNTRANSISTORS ■SILICONEPITAXIALPLANARPNPMEDIUMVOLTAGETRANSISTORS ■SOT-223PLASTICPACKAGEFORSURFACEMOUNTINGCIRCUITS ■TAPEANDREELPACKING ■THEPNPCOMPLEMENTARYTYPESAREBCP52-16ANDBCP53-16RESPECTIVELY APPLICATIONS ■MEDIUMVOLTAGELOADSWITCHTRANSISTORS ■	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
BCP5616Q	文件：395.23 Kbytes Page：8 Pages	NPNMEDIUMPOWERTRANSISTORSINSOT223 Features •BVCEO>45V&80V •IC=1AContinuousCollectorCurrent •ICM=2APeakPulseCurrent •2WPowerDissipation •LowSaturationVoltageVCE(sat)	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技
BCP5616Q	文件：380.76 Kbytes Page：7 Pages	80VNPNMEDIUMPOWERTRANSISTOR Description ThisBipolarJunctionTransistor(BJT)isdesignedtomeetthestringentrequirementsofAutomotiveApplications. Features •BVCEO>80V •IC=1AHighContinuousCollectorCurrent •ICM=2APeakPulseCurrent •2WPowerDissipation •LowSaturationVoltageVCE(SAT)	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技
BCP5616QTA	文件：380.76 Kbytes Page：7 Pages	80VNPNMEDIUMPOWERTRANSISTOR Description ThisBipolarJunctionTransistor(BJT)isdesignedtomeetthestringentrequirementsofAutomotiveApplications. Features •BVCEO>80V •IC=1AHighContinuousCollectorCurrent •ICM=2APeakPulseCurrent •2WPowerDissipation •LowSaturationVoltageVCE(SAT)	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技
BCP5616QTA	文件：395.23 Kbytes Page：8 Pages	NPNMEDIUMPOWERTRANSISTORSINSOT223 Features •BVCEO>45V&80V •IC=1AContinuousCollectorCurrent •ICM=2APeakPulseCurrent •2WPowerDissipation •LowSaturationVoltageVCE(sat)	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技
BCP5616QTC	文件：395.23 Kbytes Page：8 Pages	NPNMEDIUMPOWERTRANSISTORSINSOT223 Features •BVCEO>45V&80V •IC=1AContinuousCollectorCurrent •ICM=2APeakPulseCurrent •2WPowerDissipation •LowSaturationVoltageVCE(sat)	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技
BCP5616QTC	文件：380.76 Kbytes Page：7 Pages	80VNPNMEDIUMPOWERTRANSISTOR Description ThisBipolarJunctionTransistor(BJT)isdesignedtomeetthestringentrequirementsofAutomotiveApplications. Features •BVCEO>80V •IC=1AHighContinuousCollectorCurrent •ICM=2APeakPulseCurrent •2WPowerDissipation •LowSaturationVoltageVCE(SAT)	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技
BCP5616T	文件：557.35 Kbytes Page：7 Pages	80VNPNMEDIUMPOWERTRANSISTORINSOT223 Features BVCEO>80V IC=1AHighContinuousCollectorCurrent ICM=2APeakPulseCurrent 2WPowerDissipation LowSaturationVoltageVCE(SAT)	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技
BCP5616TA	文件：131.1 Kbytes Page：7 Pages	NPNSILICONPLANARMEDIUMPOWERTRANSISTORSINSOT223 Features •BVCEO>45V,60V&80V •IC=1AHighContinuousCollectorCurrent •ICM=2APeakPulseCurrent •2WPowerDissipation •LowSaturationVoltageVCE(sat)	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技
BCP5616TC	文件：131.1 Kbytes Page：7 Pages	NPNSILICONPLANARMEDIUMPOWERTRANSISTORSINSOT223 Features •BVCEO>45V,60V&80V •IC=1AHighContinuousCollectorCurrent •ICM=2APeakPulseCurrent •2WPowerDissipation •LowSaturationVoltageVCE(sat)	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技
BCP5616TQ	文件：556.97 Kbytes Page：7 Pages	80VNPNMEDIUMPOWERTRANSISTORINSOT223 Features •BVCEO>80V •IC=1AHighContinuousCollectorCurrent •ICM=2APeakPulseCurrent •2WPowerDissipation •LowSaturationVoltageVCE(SAT)	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技
BCP5616TQTA	文件：556.97 Kbytes Page：7 Pages	80VNPNMEDIUMPOWERTRANSISTORINSOT223 Features •BVCEO>80V •IC=1AHighContinuousCollectorCurrent •ICM=2APeakPulseCurrent •2WPowerDissipation •LowSaturationVoltageVCE(SAT)	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技

12 3 4 5 6 >>>

产品属性

产品编号：
BCX5616TA
制造商：
Diodes Incorporated
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
剪切带（CT）带盒（TB）
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
500mV @ 50mA，500mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
100 @ 150mA，2V
频率 - 跃迁：
150MHz
工作温度：
-65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-243AA
供应商器件封装：
SOT-89-3
描述：
TRANS NPN 80V 1A SOT89-3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市金华微盛电子有限公司	BCX5616TA	ZETEX	19+	SOT89	8545		询价
中天科工半导体（深圳）有限公司	BCX5616TA	Diodes Incorporated	23+	TO-243AA	30000	晶体管-分立半导体产品-原装正品	询价
深圳市龙瀚电子有限公司	BCX5616TA	DIODES	16+/17+	SOT89	3500	原装正品现货供应56	询价
深圳兆威电子有限公司	BCX5616TA	ZETEX	2020+	SOT89	90000	原装现货/假一罚十/可开增票	询价
深圳市华睿芯科技有限公司	BCX5616TA	ZETEX	23+	SOT89	20000	原厂原装,正品现货,假一罚十	询价
深圳市宝隆宏业科技有限公司	BCX5616TA	DIODES/美台	2021+	SOT89	5880	只做原装优势渠道可全系列订货开增值税票	询价
深圳市鼎欣微电子有限公司	BCX5616TA	DIODES/美台	21+	SOT89	30000	只做正品原装现货	询价
深圳市芯祺盛科技有限公司	BCX5616TA	DIODES	2019	SOT-89	1000	原装现货只有原装	询价
深圳市鹏锦翔科技有限公司三部	BCX5616TA	dioes	21+	SOT89	10080	原装,诚信经营	询价
深圳市金胜达微科技有限公司	BCX5616TA	DIODES	22+	SOT89	100000	原厂订货价格优势,可开13%的增值税票	询价

更多BCX5616TA供应商更新时间2024-4-28 13:30:00

产品属性

相关规格书

相关库存